通过引入异质结工程和应变工程的方式，减小材料有效带隙及有效质量，提高隧穿场效应晶体管（TFET）的隧穿几率，促进TFET器件性能的提升；设法通过引入应变及优化表面钝化工艺提升沟道载流子迁移率，进而得到高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。看似枯燥的内容，就是王洪娟研究生阶段一直致力于实现低功耗、高性能场效应晶体管的研究。
王洪娟在日本筑波参加SSDM2106国际会议
王洪娟道：“集成电路工艺节点已经发展到10 nm以下，高功耗已经成为限制集成电路进一步发展的主要难题。如何解决这一问题，是现在许多专家学者在做的事情，而我也是其中一份子。与传统CMOS相比，TFET能够实现室温下低于60mV/decade的陡峭亚阈值摆幅，从而降低集成电路的工作电压和芯片功耗。但仍面临隧穿几率较低的难题，而我做的就是通过引入应变等方式解决这一问题，努力提高隧穿几率，提升器件性能。”
王洪娟在ICSICT2016国际会议上获得优秀学生论文奖
洪娟同学在校期间发表SCI论文6篇，国际会议口头报告6次，其中邀请报告一次，16年10月获得ICSICT国际学术会议“Excellent student paper award“，获得博士研究生国家奖学金3次，拥有两项国家授权发明专利。
