GaN异质材料材料与器件相关性基础研究
研究发现了当通过势垒层变化增大二维电子气密度时，二维电子气限域性会迅速变差，电子迁移随之降低。
研究发现了当HEMT器件栅压变负时，二维电子气密度在降低的同时限域性也会变差，电子迁移率也会随之降低。
研究表明了GaN异质结构中电子迁移率严重依赖于二维电子气密度。
Zhang Jinfeng,Zhang Jincheng,Hao Yue,Chinese Physics,Vol.13,No.8,August 2004
Zhang Jinfeng,Wang Chong,Zhang Jincheng,Hao Yue,Chinese Physics,Vol.15,No.5,May 2006
陷阱参数和位置的数值分析：AlGaN层的表面陷阱
陷阱参数和位置的数值分析：AlGaN层的体陷阱
陷阱参数和位置的数值分析：AlGaN层的体陷阱
