宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

宽禁带半导体材料教育部重点实验室

2019年联合发布开放基金资助课题指南公告

为贯彻实行重点实验室建设“开放、流动、联合、竞争”的运行机制，宽带隙半导体技术国家重点学科实验室联合宽禁带半导体材料教育部重点实验室（以下统一简称“宽禁带半导体重点实验室”）决定发布2019年开放基金资助课题申请指南，并从发布日起开始受理申请，特将有关事项公告如下：

一、基本原则：

开放基金资助课题的性质为应用基础型，提倡创新，公平竞争，本公告发布的开放基金资助课题指南已由宽禁带半导体重点实验室学术委员会审议通过，欢迎国内学者在指南范围内提交申请书，申请书将由宽禁带半导体重点实验室组织专家进行评审打分，再通过学术委员会最终审核后决定立项课题。申请课题无论是否立项，都将保密申请书内容。

资助课题分为“重点”和“一般”两类，“重点”项目完成期限为2年，资助额度为8万元，“一般”项目完成期限为1年，资助额度为4-5万元。

资助课题的研究成果（包括专利权）由双方共享，发表论著必须注明“宽带隙半导体技术国家重点学科实验室（The National Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor）”或“宽禁带半导体材料教育部重点实验室（Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Materials,Ministry of Education）”为第一作者的第一或第二单位、同时也必须是论文的第一或第二单位。

二、2019年资助课题项目指南（详细信息见附件）：

1、GaN基HEMT器件的高温高场失效机理与可靠性评估；

2、基于二维氮化物/硫族化合物异质结光电探测器关键技术研究；

3、高电流密度III族氮化物FinFet器件研制；

4、氮化镓基器件辐射效应研究；

5、氮化镓HEMT器件缺陷表征及物理特性研究；

6、高质量大面积金刚石辐射探测器研究；

三、申请人要求：

申请人必须是各单位（不包括西安电子科技大学）的正式在职员工，非正式员工（包括非在职博士生、博士后）不能作为申请人申请开放课题。

四、操作时间表：

递交电子版项目申请书截止日期 2019年5月24日

通知评审结果 2019年5月31日前

通过评审的课题提交纸质合同 2019年6月14日前

热烈欢迎各方学者提出项目申请！

点击下载附件1：资助课题项目指南信息

点击下载附件2：项目申请书模板

特此公告！

宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

宽禁带半导体材料教育部重点实验室

（西安电子科技大学）

2019年4月28日

联系人： 梁佳博

通信地址：西安电子科技大学395信箱

邮政编码：710071 联系电话：029-88201759-830

项目申请书接收邮箱:jiabol@xidian.edu.cn