宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
宽禁带半导体材料教育部重点实验室
2019年第一批开放基金资助课题立项公告
根据《宽带隙半导体技术国家重点学科实验室开放基金项目管理办法》和《宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金项目管理办法》，重点实验室于近日完成了2019年第一批开放基金资助课题申请书的评审工作。
按照“公正公平、择优资助”的原则，重点实验室组织专家组对符合申请指南的申请书进行了认真评审，并经综合评议后拟对其中的3项申请作为本年度第一批开放基金资助课题予以立项，其中重点项目1项，一般项目2项，重点实验室后续会联系立项课题负责人签订项目合同，请保持通讯畅通。
特此公告。
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
宽禁带半导体材料教育部重点实验室
2019年6月3日
附件：2019年第一批开放基金立项课题表
宽禁带半导体重点实验室2019年第一批开放基金立项课题表
编号 |
负责人 |
单位 |
课题名称 |
类型 |
拟资助金额 |
Kdxkf2019-01 |
李姚 |
西安理工大学 |
GaN基HEMT器件的高温高场失效机理与可靠性评估 |
重点 |
8万 |
Kdxkf2019-02 |
李波 |
湘潭大学 |
氮化镓基器件辐射效应研究 |
一般 |
5万 |
Kdxkf2019-03 |
修慧欣 |
上海理工大学 |
氮化镓HEMT器件缺陷表征及物理特性研究 |
一般 |
5万 |
