近日，陕西省人民政府发布《陕西省人民政府关于2023年度陕西省科学技术奖励的决定》，实验室学术带头人、全重室副主任张玉明教授牵头完成的项目“高压低功耗碳化硅功率器件关键技术及应用”获得技术发明一等奖。

获奖部分名单

项目“高压低功耗碳化硅功率器件关键技术及应用”针对SiC功率器件击穿效率低、功率密度小、可靠性差的问题，攻克了高击穿电压电场调制与芯片终端保护技术，发明了凹槽辅助场限制环场调制技术、新型“高频刻蚀”工艺和多层掩模多步刻蚀技术，研制了终端击穿效率达到90%、具有高稳健性的SiC超高压功率器件；攻克了高功率密度SiC芯片设计与工艺技术，实现特征导通电阻低至4mΩ‧cm2的SiC MOSFET器件及高效率SiC超级结功率器件，有效提升了器件功率密度；攻克了长寿命、高可靠性SiC芯片关键技术，建立了L型围栅场调制、双区浮动结调制技术及终端电场区域陷阱电荷俘获和发射机制模型，有效解决了器件氧化层失效问题，为实现高稳定击穿特性奠定了理论基础。