第5届电子元器件辐射效应国际学术会议(International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices, ICREED)于2023年5月24日至5月27日在中国昆明举办，来自中国、法国、俄罗斯、美国等300余位中外专家学者参加会议。

西安电子科技大学作为第一单位入选7篇口头报告和18篇海报展示，其中2篇最佳口头报告，2篇最佳海报展示。西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心郑雪峰教授指导的《Degradation and Defect Evolution of GaN based UV LEDs under proton irradiation》和李园副教授指导的《Single-Event Burnout inβ-Ga2O3 Schottky Diode Induced by 1100 MeV Bi ions》论文分别入选ICREED 2023最佳口头报告。吕玲副教授指导的《Noise Analysis of Low Energy Proton Radiation Effects on AlGaN/GaN High ElectronMobility Transistors》论文被评为最佳海报展示。

王颖哲博士演讲了题为“Degradation and Defect Evolution of GaN based UV LEDs under proton irradiation”的特邀报告。报道了氮化镓基UV LED在质子辐照下的降解和缺陷演变。结合光致发光光谱（PL）和深能级瞬态光谱（DLTS）提出了由质子辐照引起的位移损伤效应引起的C原子脱离与CN相关的缺陷引起的氮空位(VN)是器件退化的关键原因。

蒋伟博硕士演讲了“Single-Event Burnout inβ-Ga2O3 Schottky Diode Induced by 1100 MeV Bi ions”的口头报告。报道了β-Ga2O3SBD在1100 MeV Bi离子辐照下的突变失效及其机理。提出了高反向偏置电压下重离子辐照会诱导产生的巨大瞬态空穴电流，导致β-Ga2O3温度的急剧升高并达至熔点，从而发生β-Ga2O3 SBD单粒子烧毁现象。

据悉，ICREED会议是国际辐射效应领域三大国际会议之一。本届ICREED会议内容包括第五届电子元器件辐射效应国际会议开幕式、主论坛、空间用先进光电材料与器件国际交流峰会、分会报告、海报展示、大会闭幕式等，设有辐射效应和基本机制、辐射硬化技术与模拟、新型器件和电路、单粒子效应四个分会场。会议特邀多位国内外专家围绕电子材料和器件辐射效应损伤机理、电子/光电器件与电路辐射效应、空间电子系统新概念、辐射评估和测试技术、空间和地面辐射效应表征等方向进行报告分享，向来自世界各地的辐射效应领域的科学家、学者们提供一个交流平台。