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研究成果
GaN异质材料与器件相关基础研究
作者:  文章来源:  发布时间:2010-12-16  阅读次数:10266

GaN异质材料材料与器件相关性基础研究

研究发现了当通过势垒层变化增大二维电子气密度时,二维电子气限域性会迅速变差,电子迁移随之降低。

研究发现了当HEMT器件栅压变负时,二维电子气密度在降低的同时限域性也会变差,电子迁移率也会随之降低。
研究表明了GaN异质结构中电子迁移率严重依赖于二维电子气密度。
Zhang Jinfeng,Zhang Jincheng,Hao Yue,Chinese Physics,Vol.13,No.8,August 2004
Zhang Jinfeng,Wang Chong,Zhang Jincheng,Hao Yue,Chinese Physics,Vol.15,No.5,May 2006
陷阱参数和位置的数值分析:AlGaN层的表面陷阱

陷阱参数和位置的数值分析:AlGaN层的体陷阱

陷阱参数和位置的数值分析:AlGaN层的体陷阱

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