| 宽禁带半导体器件抗辐照特性研究 |
| 作者： 文章来源： 发布时间：2010-12-16 阅读次数：10348 |
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分别采用60Co γ–rays和中子对HEMT器材辐照实验，表明了GaN材料具有良好的抗辐照特性，在1Mrad总剂量伽马射线和1015cm–2注量的中子辐照条件下，器材主要参数的退化不到10%，表明GaN材料有优良的抗辐照特性。
Gu Wenping,Zhang Jincheng,Acta Physica Sinica,Vol.58,No.2,2009
Gu Wenping,Hao Yue,Chinese Journal of Semiconductors,Vol.30,No.4,2009
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