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通知公告
宽禁带半导体重点实验室2020年度开放基金资助课题指南公告
作者:  文章来源:  发布时间:2020-11-25  阅读次数:2363

为贯彻实行重点实验室“开放、流动、联合、竞争”的运行机制,宽带隙半导体技术国家重点学科实验室联合宽禁带半导体材料教育部重点实验室(以下统一简称“宽禁带半导体重点实验室”)决定发布2020年开放基金资助课题申请指南,并从发布日起开始受理申请,现将有关事项公告如下:

一、 基本原则:

开放基金资助课题的性质为应用基础型,提倡创新,公平竞争,本公告发布的开放基金资助课题指南已由宽禁带半导体重点实验室学术委员会审议通过,欢迎国内学者在指南范围内提交申请书,申请书将由宽禁带半导体重点实验室组织专家进行评审,再通过学术委员会最终审核后决定立项课题。申请课题无论是否立项,都将保密申请书内容。

资助课题分为“重点”和“一般”两类,“重点”项目完成期限为2年, “一般”项目完成期限为1年。

资助课题的研究成果(包括专利权)由双方共享,发表论著必须注明“宽带隙半导体技术国家重点学科实验室(The National Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor”或“宽禁带半导体材料教育部重点实验室(Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Materials,Ministry of Education”为第一作者的第二单位、同时也必须是论文的第一或第二单位。

二、 资助课题项目指南(详细信息见附件):

1)超大规模数字集成电路布局拥塞消除算法研究

2)GaN基材料或器件与微区结构研究

3)氮化镓器件重离子辐射损伤及可靠性研究

4)Ge掺杂SiC晶体研究

5)SiC衬底上Ga2O3外延生长研究

三、 申报条件:

申请人必须是各单位(不包括西安电子科技大学)的正式在职员工,非正式员工(包括非在职博士生、博士后)不能作为申请人申请开放课题。

四、 申报程序:

递交电子版项目申请书截止日期:2020年12月17日

通知评审结果:2020年12月24日前

通过评审的课题提交纸质合同:2020年12月31日前

热烈欢迎各方学者提出项目申请!

附件1资助课题项目指南信息

附件2项目申请书模板


特此公告!

宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

宽禁带半导体材料教育部重点实验室

(西安电子科技大学)

2020年11月25日




联系人: 关凯锋

通信地址:西安电子科技大学395信箱

邮政编码:710071 联系电话:029-88201759-855

项目申请书接收邮箱: kfguan@xidian.edu.cn



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