12月5日，宽带隙半导体技术国家重点学科实验室2021年度学术委员会会议暨学术年会在西安电子科技大学北校区召开。学术委员会主任郝跃院士、副主任欧阳晓平院士、委员沈波教授、介万奇教授、张斌研究员、刘新宇研究员、姚崇斌研究员、朱正贤研究员、杨银堂教授、张玉明教授参加会议。西安电子科技大学副校长张进成教授出席会议并致辞，学术委员会会议由郝跃院士主持。

        学术委员会委员听取了实验室主任马晓华教授2021年度工作总结，委员们对实验室本年度的工作给予了充分肯定和高度评价，同时对实验室未来发展提出了建议和意见。

学术委员会主任郝跃院士做总结讲话，对各位委员的指导和建议表示衷心的感谢，同时也希望实验室在今后的发展中，围绕国家战略需求，进一步加强基础研究，持续做好人才队伍建设，发挥好优势，不断总结经验，有所发现、有所发明、有所创造、有所前进。

        本次学术年会特邀陕西师范大学刘生忠教授、中国电科首席科学家张斌研究员作学术报告，项水英、许晟瑞、祝杰杰三位青年教师代表作专题研究报告。报告采用线上线下相结合的方式，120人现场聆听专家学术报告，500余人次在线参加。

        科学研究院常务副院长蔡固顺、能力建设处处长金阳群，重点实验室学术骨干等30余人参加了会议。