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宽禁带半导体国家工程研究中心第一届技术委员会会议召开
作者:  文章来源:  发布时间:2023-12-28  阅读次数:338
西电新闻网讯(通讯员 王皎 梁佳博)12月23日,宽禁带半导体国家工程研究中心第一届技术委员会会议在西安电子科技大学南校区国家工程研究中心实验大楼召开。技术委员会主任、中国科学院院士郝跃,技术委员会副主任、中国工程院院士欧阳晓平,技术委员会副主任、中国科学院院士李树深,中国科学院院士黄维,中国科学院院士郑婉华以及来自航天九院、北京大学、航天五院西安分院、中国科学院微电子所、华为技术有限公司、中车时代电气、中国电科55所等单位的12名委员参加会议。西安电子科技大学校长张新亮、副校长张进成,以及科学研究院、微电子学院、国家工程研究中心等相关部门负责人、教师代表参加会议。会议由副校长刘宏伟主持。


张新亮在致辞中表示,感谢与会专家长期以来对学校和国家工程研究中心建设的指导和支持,他强调,在技术委员会指导下,国工中心未来要以强化国家战略科技力量为己任,为推动科技成果转移转化和行业高质量发展提供坚实的技术支撑。

张进成宣读聘任文件,张新亮向出席本次技术委员会会议的专家委员颁发聘书。

工作汇报及讨论环节由技术委员会主任郝跃院士主持。国家工程研究中心主任马晓华作2023年度工作报告,从基本情况、技术进展、开放运行、推广示范、效益分析等方面梳理总结年度工作情况及取得成效,并提出下一年重点工作规划。委员们围绕国家工程研究中心本年度的工作给予了充分肯定,同时对中心未来发展提出了建议和意见,希望国工中心坚持围绕国家重大需求,进一步加强产学研融合发展,继续拓展前沿创新,洞察行业产业发展趋势,同时加大技术转化力度,为产业发展作出更大贡献。

本次会议期间,特别邀请技术委员会委员中车时代电气副总工程师刘国友和北京大学沈波教授,为国家工程研究中心“微芯”大讲堂带来精彩的学术报告,吸引200多位师生现场聆听。学院青年教师陆小力、周弘、任泽阳也分别在会上作了专题研究报告。


责任编辑:冯毓璇
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