您现在所在位置:首页 > 学术简报 / 简报简介
简报简介
        宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与器件的应用基础研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科和 “211”工程重点建设学科的重要支撑。
        实验室从上世纪90年代开始宽禁带半导体科学研究和人才培养,目前已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地。
        实验室拥有从宽禁带材料制造设备、材料制造工艺到微波功率器件、高亮度LED器件管芯制造工艺,微波功率模块、微纳米器件可靠性以及VLSI电路设计等若干项自主关键技术,具有明显特色。
         实验室重视研究成果与应用的结合,多项研究成果已经用于国家重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用;微波功率器件已经开始用于国家重点工程;GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术,产生着辐射和带动作用;自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化;微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用。
© 2013- 西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 版权所有
地    址:陕西省西安市雁塔区太白南路2号
电    话:029-88201759-855
E_mail:jiabol@xidian.edu.cn
邮    编:710071
Design & Support 技术支持:新势力网络