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实验室简介

宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,于2007年获国家批复建设。目前主要研究方向包括:宽禁带半导体材料生长机理与方法、宽禁带半导体器件制备与应用、新型半导体器件与集成电路技术系统应用研究。经过十几年的建设与发展,重点实验室已成为西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、国家示范性微电子学院、“电子科学与技术”一级学科、“微电子学与固体电子学”和“集成电路设计与集成系统”国家重点学科的重要支撑。

重点实验室从上世纪90年代开始从事宽禁带半导体方面科学研究和人才培养,目前已成为国内外开展宽禁带半导体材料和器件科学研究、人才培养、学术交流、校企合作、成果转化等工作的重要基地,2020年获国家自然科学基金创新研究群体。

实验室建有一千五百多平方米的宽禁带半导体超净工艺研发线,最高洁净度达百级,设备原值近2亿元,可满足化合物半导体器件制备流片工艺的技术要求。拥有材料生长设备研制、材料生长工艺、器件研制工艺、器件可靠性测试以及VLSI电路系统应用设计等若干项自主关键技术,在宽禁带半导体科研体系方面具有明显特色。

重点实验室相关研究成果获得国家技术发明奖3项、国家科技进步奖4项、国家教学成果奖2项、省部级一等奖10余项,郝跃院士获2019年度陕西省最高科学技术奖。实验室重视研究成果转化与应用,氮化镓紫外光电技术高效模数转换器及前端集成系统氮化镓微波功率器件低功耗集成电路系统芯片技术等多项研究成果已经应用于国家和国民经济重点工程,实现产业化技术转移,推进5G通信基站、紫外工业光电应用等相关产业发展。


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