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马晓华教授当选九三学社陕西省委副主委
中科院院士郝跃为西电学子“播撒”科学家精
宽禁带半导体国家工程研究中心入选全国首批
“微纳看世界三好三有”团队志愿者化身“大
战疫情,保科研-重点实验室举办开放基金课
重点实验室召开学术委员会会议暨学术年会
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2023年
03/24
《Advanced Science》发表常晶晶教授胡显刚博士研究成果
2023年
03/16
国家工程研究中心:正式启动北校区工艺线搬迁
2023年
03/01
国工中心举行普源精电高性能示波器捐赠仪式
2023年
02/28
“大师总师进校园”-马建国教授为学院师生作报告
2022年
11/18
国内首套!郝跃院士领衔总策划科技专著《宽禁带半导体前沿丛书》出版发行
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关于征集2023年度宽禁带半导体材料教育…
/11/10/
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宽禁带半导体国家工程研究中心测试工程师招…
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会议通知 | 第二十三届全国半导体物理学…
/03/23/
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宽禁带半导体重点实验室2020年度开放基…
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宽禁带半导体重点实验室2020年度开放基…
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西安电子科技大学宽禁带半导体国家级科研基…
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宽带隙半导体技术国家重点学科实验室202…
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2019年第一批开放基金资助课题立项公告
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重点实验室2019年开放基金资助课题指南…
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请关注重点实验室“科学研究”栏目
/03/03/
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,于2007年获国家批复建设。目前主要研究方向包括:宽禁带半导体材料生长机理与方法、宽禁带半导体器件制备与应用、新型半导体器件与集成电路技术系统应用研究。经过十几年的建设与发展,重点实验室已成为西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、国家示范性微电子学院、“电子科学与技术”一级学科、“微电子学与固体电子学”和“集成电路设计与集成系统”国家重点学科的重要支撑。
重点实验室从上世纪90年代开始从事宽禁带半导体方面科学研究和人才培养,目前已成为国内外开展宽禁带半导体材料和器件科学研究、人才培养、学术交流、校企合作、成果转化等工作的重要基地,2020年获国家自然科学基金创新研究群体。
实验室建有一千五百多平方米的宽禁带半导体超净工艺研发线,最高洁净度达百级,设备原值近2亿元,可满足化合物半导体器件制备流片工艺的技术要求。拥有材料生长设备研制、材料生长工艺、器件研制工艺、器件可靠性测试以及VLSI电路系统应用设计等若干项自主关键技术,在宽禁带半导体科研体系方面具有明显特色。
重点实验室相关研究成果获得国家技术发明奖3项、国家科技进步奖4项、国家教学成果奖2项、省部级一等奖10余项,郝跃院士获2019年度陕西省最高科学技术奖。 ……
近期多位政府、高校、企业领导来我室调研交流
(通讯员:梁佳博)近期宽带隙半导体技术国家重点学科实验室迎接多位政府、高校、企业领导调研实验室科研平台建设、研究能力、运行管理、仪器设备共享以及人才培养情况等。
浙江新湖集团股份有限公司董事长林俊波校友一行来访调研
2018年4月27日下午,浙江新湖集团股份有限公司董事长林俊波校友一行来实验室调研交流。
扬州大学物理科学与技术学院来实验室调研交流
2018年4月19日上午,扬州大学物理科学与技术学院微电子科学与工程系主任孟祥东一行3人来实验室调研交流。
微纳米集成电路SoC设计
XDNP网络处理器采用MPU+ME+Sec-uP的多核异构SoC架构,多个ME(微引擎)处理Gbits/s的线速转发包,MPU负责配置和管理多个ME以支持多种协议和通信业务,Sec-uP(安全协处理器……
/ 2012-12-16 /
GaN异质材料与器件相关基础研究
研究发现了当通过势垒层变化增大二维电子气密度时,二维电子气限域性会迅速变差,电子迁移随之降低。研究发现了当HEMT器件栅压变负时,二维电子气密度在降低的同时限域性也会变差,电子迁移率也会随之降低。
/ 2010-12-16 /
宽禁带半导体器件抗辐照特性研究
分别采用60Co γ–rays和中子对HEMT器材辐照实验,表明了GaN材料具有良好的抗辐照特性,在1Mrad总剂量伽马射线和1015cm–2注量的中子辐照条件下,器材主要参数的退化不到10%,表明G……
/ 2010-12-16 /
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西电学子获2020集成电路EDA设计精英挑战赛最高奖
/ 2020-12-03 /
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樊庆扬:厚积薄发 硕果累累
/ 2017-01-11 /
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张雅超:自强不息 勇攀高峰
/ 2016-12-20 /
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曹梦逸博士毕业生获华为优秀新员工称号
/ 2016-11-30 /
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王洪娟:潜心钻研 勇攀学术高峰
/ 2016-10-10 /
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周久人:专注科研,享受乐趣
/ 2016-08-20 /
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与……
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