2023年
10/30
国工中心首场开放日活动在南校区实验大楼顺利举办  
2023年
10/25
梦想聚团队，岁月绽芳华 | 国工中心举办2023年度秋季团建活动  
2023年
09/30
赴明月之约，贺祖国华诞 | 微电子学院国家工程研究中心双节团圆师生茶话会圆满…  
2023年
09/28
祝贺！教育部重点实验室博士后易楚朋获批2023年度“博新计划”  
2023年
09/11
国工中心部分研究组新学期师生动员会成功举办  
        宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上，于2007年获国家批复建设。目前主要研究方向包括：宽禁带半导体材料生长机理与方法、宽禁带半导体器件制备与应用、新型半导体器件与集成电路技术系统应用研究。经过十几年的建设与发展，重点实验室已成为西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、国家示范性微电子学院、“电子科学与技术”一级学科、“微电子学与固体电子学”和“集成电路设计与集成系统”国家重点学科的重要支撑。
        重点实验室从上世纪90年代开始从事宽禁带半导体方面科学研究和人才培养，目前已成为国内外开展宽禁带半导体材料和器件科学研究、人才培养、学术交流、校企合作、成果转化等工作的重要基地，2020年获国家自然科学基金创新研究群体。
         实验室建有一千五百多平方米的宽禁带半导体超净工艺研发线，最高洁净度达百级，设备原值近2亿元，可满足化合物半导体器件制备流片工艺的技术要求。拥有材料生长设备研制、材料生长工艺、器件研制工艺、器件可靠性测试以及VLSI电路系统应用设计等若干项自主关键技术，在宽禁带半导体科研体系方面具有明显特色。
         重点实验室相关研究成果获得国家技术发明奖3项、国家科技进步奖4项、国家教学成果奖2项、省部级一等奖10余项，郝跃院士获2019年度陕西省最高科学技术奖。 ……
近期多位政府、高校、企业领导来我室调研交流
（通讯员：梁佳博）近期宽带隙半导体技术国家重点学科实验室迎接多位政府、高校、企业领导调研实验室科研平台建设、研究能力、运行管理、仪器设备共享以及人才培养情况等。
浙江新湖集团股份有限公司董事长林俊波校友一行来访调研
2018年4月27日下午，浙江新湖集团股份有限公司董事长林俊波校友一行来实验室调研交流。
扬州大学物理科学与技术学院来实验室调研交流
2018年4月19日上午，扬州大学物理科学与技术学院微电子科学与工程系主任孟祥东一行3人来实验室调研交流。
微纳米集成电路SoC设计
XDNP网络处理器采用MPU+ME+Sec-uP的多核异构SoC架构，多个ME(微引擎)处理Gbits/s的线速转发包，MPU负责配置和管理多个ME以支持多种协议和通信业务，Sec-uP(安全协处理器……  / 2012-12-16 /
GaN异质材料与器件相关基础研究
研究发现了当通过势垒层变化增大二维电子气密度时，二维电子气限域性会迅速变差，电子迁移随之降低。研究发现了当HEMT器件栅压变负时，二维电子气密度在降低的同时限域性也会变差，电子迁移率也会随之降低。  / 2010-12-16 /
宽禁带半导体器件抗辐照特性研究
分别采用60Co γ–rays和中子对HEMT器材辐照实验，表明了GaN材料具有良好的抗辐照特性，在1Mrad总剂量伽马射线和1015cm–2注量的中子辐照条件下，器材主要参数的退化不到10%，表明G……  / 2010-12-16 /
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        宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上，2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙（宽禁带）半导体材料与……
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