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郝跃教授课题组2016年度博士学术研讨会圆满落幕
2017-01-05 09:53   审核人:

(通讯员:陈大正)20161230日至31日,在西安电子科技大学建校85周年与2017新年交替之际,乘着研究生学术年会和“三好三有”导学团队评选的余辉,以“崇尚学术,追求卓越”为宗旨,以“学术交流,成果共享,共商发展”为目的,郝跃教授课题组2016年度博士学术研讨会在北校区东大楼221学术报告厅隆重举行,课题组全体在校博士研究生、全体博士生导师以及来自不同学院和学校共名200余名师生参加了研讨会。

本次学术研讨会涉及半导体材料与器件、理论机理、工艺制造、电路设计等多个方面,每位博士侃侃而谈,分享新想法、新动态、新成果,每位导师孜孜不倦,肯定进展的同时指出不足,会议学术氛围非常浓厚,广大师生进行了广泛而深入的探讨,引起了强烈反响。

张进成教授主持开幕并致辞,激情阐述了研讨会“崇尚学术,追求卓越”的宗旨与“学术交流,成果共享,共商发展”的主题。与会导师有郝跃、张进成、马晓华、敖金平、杨林安、韩根全、常晶晶、冯倩、张春福、陆小力、郑雪峰、许晟瑞等

   

郝跃教授指导新入学的博士生,如何做报告,如何做研究。

王洪娟博士报告了“低功耗GeSn Tunneling FET 器件研究”方面的最新成果与研究心得,相关成果发表在《IEEE Transactions onElectron Devices》等国际期刊上。

周久人博士报告了“负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管”领域取得的突破性进展,相关成果在IEDM 2016国际会议上发表。

李姚博士重点阐述了III族氮化物体材料中热电子的能量弛豫,为高性能的电子器件的研制打下了基础。相关成果发表在国际著名期刊《Semiconductor Science& Technology》上。

杨海峰博士报告了“高效新型钙钛矿太阳能电池的研究”,汇报了新型钙钛矿薄膜的成膜机理,界面组分工程方面的研究成果,相关成果发表在国际著名期刊《Solar Energy》上。

张雅超博士报告了“InGaN沟道异质结特性研究”,汇报了脉冲生长、沟道厚度调制、插入层优化等研究进展,相关成果发表在国际著名期刊《Applied Physics Letters》、《Applied Physics Express》上。

卢阳博士汇报了“GaN高效率内匹配功放及MMIC研究”,为课题组自主研制的GaN基微波毫米波器件应用于电路系统奠定了基础,相关成果发表在《Electronics Letters》《Solid-state Electronics》等国际著名期刊上。

最后,郝跃教授进行了大会总结,首先充分肯定了2016年课题组的各项工作业绩,尤其是各位博士的学术成果,对大家的付出与收获表示感谢与祝贺,也对大家提出了新年期望:

一年以来,课题组不仅在宽禁带半导体和非硅微电子器件领域取得了突破性进展,而且在二维材料、有机&钙钛矿、金刚石等新材料研究方面取得了一些独到的成果,部分已经开始应用。在崭新的2017年,要有新的想法,始终把握学科前沿,这是高校科研与研究所、企业的本质区别;保持良好的发展势头,争取更多的成果与新的突破;坚持基础研究,加深对物理机理的研究,进一步提高研究档次;在有利的形势与完备的实验条件下,进一步抓紧,懂得珍惜,继续前进,再创辉煌。最后对大家送上诚挚的新年祝福。

微电子不微,随着信息技术的发展,我们的生活越来越与微电子技术息息相关,它更是国家综合实力的标志。全体课题组成员以此为使命,全新全意谋发展,

秉承“师德师风好、师生关系好、培养模式好;有先进文化、有出色管理、有突出业绩”的导学模式,坚持“志存高远,脚踏实地,自强不息,勇攀高峰”的团队理念,树立“和谐、奋斗、卓越、创新”的发展目标,持续推动我校一流大学、一流学科、一流专业的建设,持续推动我校微电子专业人才培养,持续推动我国在微电子领域的研究处于国际领先和先进行列。

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