中文 | 英文
首页实验室概况仪器设备科研团队科学研究合作交流最新消息通知公告
 
科学研究
 科研奖项 
 授权专利 
 论文著作 
 研究成果 
西安电子科技大学微电子学院
中科院半导体所
中科院微电子所
北京大学微电子院
清华大学信息科学技术学院
中科院上海微系统与信息所
西安中为光电科技公司
 
当前位置: 首页 > 科学研究 > 研究成果 > 正文
 
GaN异质材料与器件相关基础研究
  审核人:

AlGaN/GaN HEMT慢瞬态分析

陷阱参数和位置的数值分析:AlGaN层的表面陷阱

       器件结构                       陷阱能级判断                应力中陷阱状态变化

             电流上升瞬态计算结果          电流上升瞬态中器件表面导带随时间的变化


 

上一页 下一页 [1 2 3]
关闭窗口
 
 

本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话:029-88202073 电子邮箱:pjma@xidian.edu.cn 技术支持:西安聚力