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GaN异质材料与器件相关基础研究
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GaN质材料材料与器件相关性基础研究

研究发现了当通过势垒层变化增大二维电子气密度时,二维电子气限域性会迅速变差,电子迁移随之降低。

研究发现了当HEMT器件栅压变负时,二维电子气密度在降低的同时限域性也会变差,电子迁移率也会随之降低。

研究表明了GaN异质结构中电子迁移率严重依赖于二维电子气密度。

Zhang Jinfeng,Zhang Jincheng,Hao Yue,Chinese Physics,Vol.13,No.8,August 2004

Zhang Jinfeng,Wang Chong,Zhang Jincheng,Hao Yue,Chinese Physics,Vol.15,No.5,May 2006


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