中文 | 英文
首页实验室概况仪器设备科研团队科学研究合作交流最新消息通知公告
 
科学研究
 科研奖项 
 授权专利 
 论文著作 
 研究成果 
西安电子科技大学微电子学院
中科院半导体所
中科院微电子所
北京大学微电子院
清华大学信息科学技术学院
中科院上海微系统与信息所
西安中为光电科技公司
 
当前位置: 首页 > 科学研究 > 研究成果 > 正文
 
宽禁带半导体器件抗辐照特性研究
  审核人:

     

      

分别采用60Co γ–rays和中子对HEMT器材辐照实验,表明了GaN材料具有良好的抗辐照特性,在1Mrad总剂量伽马射线和1015cm–2注量的中子辐照条件下,器材主要参数的退化不到10%,表明GaN材料有优良的抗辐照特性。

Gu Wenping,Zhang Jincheng,Acta Physica Sinica,Vol.58,No.2,2009

Gu Wenping,Hao Yue,Chinese Journal of Semiconductors,Vol.30,No.4,2009


 

关闭窗口
 
 

本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话:029-88202073 电子邮箱:pjma@xidian.edu.cn 技术支持:西安聚力