中文 | 英文
首页实验室概况仪器设备科研团队科学研究合作交流最新消息通知公告
 
科学研究
 科研奖项 
 授权专利 
 论文著作 
 研究成果 
西安电子科技大学微电子学院
中科院半导体所
中科院微电子所
北京大学微电子院
清华大学信息科学技术学院
中科院上海微系统与信息所
西安中为光电科技公司
 
当前位置: 首页 > 科学研究 > 研究成果 > 正文
 
宽禁带半导体器件可靠性研究
  审核人:

对HEMT器件进行长时间电应力实验表明:表面态和ALGaN或者GaN材料体中的缺陷引起了器件参数的明显变化。HEMT器件的热载流子效应值得关注,器件稳定性仍需深入研究。

Gu Wenping,Zhang Jincheng,Hao Yue, Chinese Physics B, Vol.18,No.4,2009

Gu Wenping,Hao Yue, Acta Physica Sinica,Vol.58,No.1,2009

  

    
 


关闭窗口
 
 

本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话:029-88202073 电子邮箱:pjma@xidian.edu.cn 技术支持:西安聚力