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GaN基电子材料基础研究
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                        腐蚀法表征GaN基材料的位错性质                               

 

        210oC下腐蚀2.5分钟和5分钟GaN薄膜表面形貌的SEM

 

       235oC下腐蚀2.5分钟和4分钟的GaN薄膜表面形貌的SEM图片

 

        KOH腐蚀后的SEM图片,由于Al原子相对低的表面迁移率,使其在衬底上形成了较小的成核层晶粒,较小的岛合并产生了较多的位错

                    α型、β型和γ型腐蚀坑的SEM图片和相应的示意图

Gao zhiyuan,Hao Yue,Journal of Applied Physics,2008,p:104


 

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