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薄栅氧化层的经时击穿
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                           薄氧化层的经时击穿

衬底热载流子对栅氧化层介质击穿的耦合作用,首次提出衬底热载流子增强的TDDB击穿模型。

栅氧击穿分两步:

1.注入热电子产生陷阱中心。

2.空穴陷入陷阱,产生≡Si-、≡Si-O-结构,具有更强导电性,容易形成导电通路击穿。

 

     Jh恒定,QhQe随Je变化                               Je恒定,QhQe随Jh变化

               

   

栅氧击穿机理

Liu Hongxia, Yue Hao,Microelectronic Reliability.2002,42(7)pp:1037-1044


 

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