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NBTI和CHC效应的分解
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  不同栅压下跨导漂移和衬底电流                           不同栅压下Vth漂移和衬底电流

     CHC和NBTI应力下Vth漂移和L的关系

        Vth退化和跨导退化是由完全不同的两种机制控制。NBTI对Vth的影响与L无关,与长沟道下CHC引起

        Vth漂移相同,测量相同条件长沟器件CHC的漂移,可将短沟道CHC应力下的NBTI漂移值分离,分解出这两种效应各自对器件参数漂移的影响。

      Liu Hongxia, Yue Hao,Interaction and explanation of NBTI with hot carriers in ultra-deep submicron PMOSFETs. Chinese Physics. 2007,16(7)pp:2111-2115 

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