中文 | 英文
首页实验室概况仪器设备科研团队科学研究合作交流最新消息通知公告
 
科学研究
 科研奖项 
 授权专利 
 论文著作 
 研究成果 
西安电子科技大学微电子学院
中科院半导体所
中科院微电子所
北京大学微电子院
清华大学信息科学技术学院
中科院上海微系统与信息所
西安中为光电科技公司
 
当前位置: 首页 > 科学研究 > 研究成果 > 正文
 
MOS器件的NBTI 效应
  审核人:

 不同空穴电流密度Jhole,不同Vg应力,不同激活能方差σ

 

     pMOS器件的Vth漂移                                       归一化的NBTI影响的空穴迁移率退化

        建立了NBTI效应模型。栅压和温度的变化改变Vth漂移的幅度,退化斜率不变。激活能不同证实反应物不同,参数退化有不同的斜率。模型成功解释了NBTI效应的反应过程。

郝跃,韩晓亮,刘红侠,电子学报,2003,31(12A)pp:2063-2065


 

关闭窗口
 
 

本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话:029-88202073 电子邮箱:pjma@xidian.edu.cn 技术支持:西安聚力