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部分国家发明专利(1)
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 自对准槽栅CMOS集成电路制造方法   00114825.7
 一种16位微处理器的系统结构 03114501.9
双算术逻辑单元精简指令集8位微控制器 200510041649.9
碳化硅金属半导体场效应晶体管  03105805.1
III-V族化合物材料上原位淀积SiO2金属膜的方法 200510042671.5
金属有机物化学气相淀积设备的恒流配气系统及控制方法 200510042809.1
GaN半导体材料的异质外延方法 200510043168.1
垂直型宽禁带半导体器件结构 200510043057.0
磷化锢材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法 2005100962334.1
GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法 200510096233.7
一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法 200610041962.7
GaN单晶缺陷种类和密度的检测方法 200610042911.6
一种大面积自支撑宽禁带半导体材料的制作方法 200610105112.9
基于自支撑的SiC的GaN器件及制作方法 200610105132.6
化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法 200710018147.3
基于Al2O3封底的GaN薄膜的生长方法 200710018353.4
基于组份渐变GaN MISFET的GaN器件及制备方法 200710018772.8
InAlN/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法 200810017777.3
适用于氮化镓器件N型欧姆接触制作方法 200810150273.9
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