中文 | 英文
首页实验室概况仪器设备科研团队科学研究合作交流最新消息通知公告
 
科学研究
 科研奖项 
 授权专利 
 论文著作 
 研究成果 
西安电子科技大学微电子学院
中科院半导体所
中科院微电子所
北京大学微电子院
清华大学信息科学技术学院
中科院上海微系统与信息所
西安中为光电科技公司
 
当前位置: 首页 > 科学研究 > 授权专利 > 正文
 
部分国家发明专利(3)
  审核人:
槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 200810232513.x
槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法 200810232526.7
绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件 200810232527.1
绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法 200810232528.6
凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管 200810232529.0
凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管 200810232530.3
Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法 200810232531.8
凹槽Γ栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 200810232534.1
凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管 200810232537.5
槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管 200810232525.2
基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管 200810232524.8
凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管 200810232521.4
源场板高电子迁移率晶体管滤波方法 200810232547.9
MOCVD系统控制软件V1.0 2004RS5972
随机控制系统控制软件 2003RS7605
MOCVD自动温度控制软件  软件著作权
多片式MOCVD自动控制软件   软件著作权
关闭窗口
 
 

本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话:029-88202073 电子邮箱:pjma@xidian.edu.cn 技术支持:西安聚力