中文 | 英文
首页实验室概况仪器设备科研团队科学研究合作交流最新消息通知公告
 
科学研究
 科研奖项 
 授权专利 
 论文著作 
 研究成果 
西安电子科技大学微电子学院
中科院半导体所
中科院微电子所
北京大学微电子院
清华大学信息科学技术学院
中科院上海微系统与信息所
西安中为光电科技公司
 
当前位置: 首页 > 科学研究 > 授权专利 > 正文
 
部分国家发明专利(4)
  审核人:

序号

专利名称

发明人

授权时间

专利号

专利

类型

    1

基于m面Al2O3衬底上半极性GaN的生长方法

郝跃、许晟瑞、周小伟、张进成

20110921

ZL201010155019.5

发明专利

   2

基于γ面LiAlO2衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法

郝跃、许晟瑞、薛军帅、周小伟、张进成、曹艳荣、蔡冒世、王昊

20111019

ZL201010209568.6

发明专利

   3

基于a面6H-SiC衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法

郝跃、许晟瑞、张进成、周小伟、杨林安、史林玉、王昊、陈珂

2011

ZL201010209324.8

发明专利

   4

绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

毛维、郝跃、杨翠、过润秋、张进成、马晓华、许晟瑞

20110601

ZL200810232512.5

发明专利

   5

AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的制作方法

郝跃、杨凌、马晓华、周小伟、李培咸

20110406

ZL200910021793.4

发明专利

   6

SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法

郝跃、杨凌、马晓华、周小伟、李培咸

20110406

ZL200910021764.8

发明专利

   7

基于缺陷边界值变化次数的IC缺陷分类方法

刘红侠、周文、高博

20110209

ZL200910020850.7

发明专利

   8

全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

王冲、郝跃、马晓华、
张进成、曹艳荣、杨凌

20110824

ZL201010013536.9

发明专利

   9

4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法

张玉明、郭辉、王党朝、张义门、汤晓燕、
王悦湖、王德龙

20110427

ZL200910023384.8

发明专

  10

提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法

苗瑞霞、张玉明、
汤晓燕、张义门

20110715

ZL200910218656.X

发明专利

  11

偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法

张玉明、陈丰平、吕红亮、王悦湖、张林、
郑庆立、宋庆文

20110624

ZL200910022015

发明专利

  12

基于规则拓扑库面向应用的片上网络生成方法

蔡觉平、刘政、郝跃、李赞、黄岗、姚磊、王炼、雷敬楹、任泽坤、李圣

20111028

ZL201010144088.6

发明专利

关闭窗口
 
 

本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话:029-88202073 电子邮箱:pjma@xidian.edu.cn 技术支持:西安聚力