中文 | 英文
首页实验室概况仪器设备科研团队科学研究合作交流最新消息通知公告
 
科学研究
 科研奖项 
 授权专利 
 论文著作 
 研究成果 
西安电子科技大学微电子学院
中科院半导体所
中科院微电子所
北京大学微电子院
清华大学信息科学技术学院
中科院上海微系统与信息所
西安中为光电科技公司
 
当前位置: 首页 > 科学研究 > 授权专利 > 正文
 
专利申请情况(5)
  审核人:
序号
专利名称
发明人
申请时间
专利号申请号
专利
类型
1
一种基于指令预取的多核共享存储器控制设备
 李康、光青、郝跃、雷理、彭毓佳
CN 102207916
发明
专利
2
一种基于交叉开关结构的片上互连方法
 李康、范勇、雷理、 赵庆贺、史江一、 马佩军、郝跃
201110210017.6
发明
专利
3
一种基于多核多线程处理器的功能宏流水线实现方法
李康、赵庆贺、雷理、   范勇、马佩军、 史江一、郝跃
201110309287.2
发明
专利
4
AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法
郝跃、张伟、毛维
20010528
201110140930.3.
发明
专利
5
一种p-i-n夹层结构InGaN太阳电池
郝跃、毕臻、张进成、周小伟、马晓华、王冲
 
201110293423.3
发明
专利
6
含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池
郝跃、毕臻、周小伟、张进成、马晓华、王冲
 
201110300096.X
发明
专利
7
a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的Raman表征
郝跃、王党会、许晟瑞、张进成、张金凤、毕志伟、毛维、马晓华、赵胜雷、薛晓咏、艾姗
 
201110293524.0
发明
专利
8
N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法
汤晓燕、元磊、张玉明、张义门、王文、
杨飞
20110512
201110122724.X
发明
专利
9
基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
汤晓燕、元磊、
张玉明、张义门、
王文、杨飞
20110623
201110169285.8
发明
专利
10
N沟道积累SiC IEMOSFET器件及制备方法

汤晓燕、张超、张玉明、张义门、杨飞、
王文

20110512
201110122219.5
发明
专利
11
外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制备方法
汤晓燕、张超、
张玉明、张义门、
杨飞、王文
20110623
201110171696.0
发明
专利
 下一页 [1 2]
关闭窗口
 
 

本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话:029-88202073 电子邮箱:pjma@xidian.edu.cn 技术支持:西安聚力