2018年
01/05
郝跃教授课题组2017年末博士学术研讨会圆满落幕  
2017年
09/22
法国CEA-LETI实验室Cioccio教授一行应邀来访并做学术报告  
2017年
06/30
郝跃教授课题组2017年第一学期博士学术研讨会圆满落幕  
2017年
05/12
郝跃院士团队取得金刚石有源电子器件研究新突破  
2017年
04/24
香港科技大学陈敬教授应邀来访并做学术报告  
        宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与器件的基础科学和系统应用研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、国家示范性微电子学院、微电子学与固体电子学国家重点学科和 "211"工程重点建设学科的重要支撑。
        实验室从上世纪90年代开始宽禁带半导体方面科学研究和人才培养,目前已成为国内外开展宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面工作的重要基地,2008年实验室成为我国国防科技创新团队。 实验室拥有从宽禁带材料生长设备、材料生长工艺到微波功率器件、高亮度LED器件管芯制造工艺,微波功率模块、微纳米器件可靠性以及VLSI电路设计等若干项自主关键技术,具有明显特色。
         实验室重视研究成果转化与应用,多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用;微波功率器件已经开始用于国家重点工程;GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术,产生着辐射和带动作用;自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化 ……
中科院微电子所刘新宇研究员应邀来访作学术报告
2017年12月22日上午,应重点实验室张进成教授邀请,中国科学院微电子所刘新宇研究员为重点实验室师生作了题为“Si基GaN功率电子器件研发与产业化技术”的学术报告,报告会由马晓华教授主持。  / 2017-12-28 /
北京大学沈波教授应邀来访并作学术报告
2017年12月22日上午,应重点实验室张进成教授邀请,北京大学沈波教授为重点实验室师生作了题为“大失配、强极化氮化物半导体的外延生长和物性研究”的特邀学术报告,报告由马晓华教授主持。  / 2017-12-28 /
赣江新区管委会考察组来重点实验室调研交流
11月23日,赣江新区管委会组织考察组一行5人来访我校宽禁带半导体重点实验室,双方对今后的合作展开了交流。会议在东大楼321B会议室进行,由重点实验室副主任马佩军老师主持,赣江新区创新发展局干部柳峰首……  / 2017-12-16 /
微纳米集成电路SoC设计
XDNP网络处理器采用MPU+ME+Sec-uP的多核异构SoC架构,多个ME(微引擎)处理Gbits/s的线速转发包,MPU负责配置和管理多个ME以支持多种协议和通信业务,Sec-uP(安全协处理器……  / 2012-12-16 /
GaN异质材料与器件相关基础研究
研究发现了当通过势垒层变化增大二维电子气密度时,二维电子气限域性会迅速变差,电子迁移随之降低。研究发现了当HEMT器件栅压变负时,二维电子气密度在降低的同时限域性也会变差,电子迁移率也会随之降低。  / 2010-12-16 /
宽禁带半导体器件抗辐照特性研究
分别采用60Co γ–rays和中子对HEMT器材辐照实验,表明了GaN材料具有良好的抗辐照特性,在1Mrad总剂量伽马射线和1015cm–2注量的中子辐照条件下,器材主要参数的退化不到10%,表明G……  / 2010-12-16 /
樊庆扬:厚积薄发 硕果累累  / 2017-01-11 /
张雅超:自强不息 勇攀高峰  / 2016-12-20 /
曹梦逸博士毕业生获华为优秀新员工称号  / 2016-11-30 /
王洪娟:潜心钻研 勇攀学术高峰  / 2016-10-10 /
周久人:专注科研,享受乐趣  / 2016-08-20 /
孙景鑫:立志创业,以行动力践行梦想  / 2016-01-14 /
        宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与……
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