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首席专家



实验室学术委员会主任,首席专家 郝跃教授
       郝跃教授,中国科学院院士,微电子学与固体电子学博士生导师。1958年3月生于重庆市,1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位;国际IEEE学会高级会员,中国电子学会常务理事,陕西省科学技术协会副主席,陕西省半导体行业协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长,国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员,教育部科技委委员,第七届“电子科学与技术”学科评议组召集人。第九、第十、第十三届全国政协委员和第十一届全国人大代表。2013年11月当选中国科学院院士。
郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养,是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
主要研究方向 1. 宽禁带半导体材料与器件
2. 微纳半导体新器件及其可靠性
3. SoC设计与设计方法学
教学与科研成果 主持的科研成果获得国家技术发明奖二等奖1项(2009年),国家科技进步二等奖2项(2015年、2008年),国家科技进步三等奖1项(1998年);省部级科技成果一、二等奖十余项;获得国家发明专利授权三十余项;出版了《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》、《碳化硅宽带隙半导体技术》、《集成电路制造动力学理论与方法》和《微纳米CMOS器件可靠性与失效机理》、《NITRIDE WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ELECTRONIC DEVICES》等多部著作,在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇;2010年荣获“何梁何利”科学技术奖。
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