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授权专利
专利授权情况-2018年
作者:  文章来源:  发布时间:2019-03-01  阅读次数:234

序号

专利名称

专利号

授权日期

发明人

1

基于XXX组件的处理xx模块

201518001992.5

2018/02/02

董刚;何建华

2

非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法

201510508722.2

2018/03/06

许晟瑞;郝跃;任泽阳;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华

3

基于三维石墨烯/氢氧化镍复合电极材料的制备方法

201610178040.4

2018/03/06

王东;宁静;张进成;陆芹;穆美珊;郝 跃

4

批量加工晶圆的统计过程控制方法

201510937567.6

2018/03/06

游海龙;田文星;顾凯;贾新章

5

二维片上网络拓扑结构的自适应路由方法

201510342328.6

2018/03/06

史江义;舒浩;李钊;马佩军;王禛;吴冰冰;余文哲;张春焱

6

基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法

201510509240.9

2018/03/06

许晟瑞;任泽阳;郝跃;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华

7

基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法

201510508696.3

2018/03/06

许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;张金风

8

基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法

201510510551.7

2018/03/06

许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;牛牧童

9

基于InAsN-GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管

201510490490.2

2018/03/06

韩根全;张春福;彭悦;汪银花;张进城;郝跃

10

利用截尾样本确定产品合格率的方法

201410733542.X

2018/04/17

游海龙;田文星;顾凯;贾新章

11

一种二维环绕网格片上网络的拓扑结构以及路由方法

201510341674.2

2018/04/17

史江义;舒浩;李钊;马佩军;王禛;吴冰冰;余文哲;张春焱

12

基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管

201510490482.8

2018/04/17

韩根全;张春福;彭悦;汪银花;张进城;郝跃

13

GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法

201510995925.9

2018/05/15

马晓华;宋芳;雷毅敏;马佩军;钟决坤;王湛

14

具有双功能催化的自支撑Ti4O7纳米纤维制备方法

201610117710.1

2018/05/15

雷毅敏;马晓华;李健;王湛;宋芳

15

基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法

201610130918.7

2018/05/15

张进成;陈智斌;吕佳骐;郝跃

16

基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

201610334076.7

2018/05/25

张进成;庞 凯;陈智斌;吕佳骐;朱家铎;许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝跃

17

一种二维片上网络的拓扑结构以及路由方法

201510112474.X

2018/05/25

史江义;舒浩;余文哲;马佩军;王禛;吴冰冰;李钊;张春焱

18

在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

201610130981.0

2018/05/25

张进成;陈智斌;吕佳骐;郝跃

19

基于四苯乙烯聚合物空穴传输层的钙钛矿太阳能电池

201510644931.X

2018/06/05

习鹤;吕玲;唐诗;罗莉;马晓华;张春福;郝跃

20

基于空腔结构的双层分形微带射频封装天线

201510998505.6

2018/06/05

董刚;聂晖;熊伟;杨银堂

21

基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

201610333373.X

2018/06/26

张进成;朱家铎;陈智斌;庞凯;吕佳骐;许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝跃

22

基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

201610333650.7

2018/07/06

张进成;吕佳骐;陈智斌;庞凯;朱家铎;许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝 跃

23

基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

201610334385.4

2018/07/06

张进成;陈智斌;庞凯;吕佳骐;朱家铎许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝跃

24

基于氧化锌透明电极的异面型光导开关及其制作方法

201710153393.3

2018/07/17

郭辉;吴建鲁;曹鹏辉;张玉明;张晨旭

25

基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关及其制作方法

201710154172.8

2018/07/27

郭辉;曹鹏辉;吴建鲁;张玉明;张晨旭

26

不同大小样本均值-标准偏差控制图的统计过程控制方法

201610023611.7

2018/07/27

田文星;游海龙;顾铠;贾新章

27

基于GPU加速的非局部平均滤波实时处理方法

201610370775.7

2018/08/10

赖睿;王维;孟灵非;杨银堂;周慧鑫;王炳建;秦翰林

28

基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管

201610020866.8

2018/08/10

刘红侠;张丹;陈树鹏;陈安;侯文煜

29

基于3DSG/Mn3O4/3DMG非对称超级电容器及制备方法

201610176835.1

2018/08/17

宁静;冯欣;王东;张进成;陆芹;穆美珊;郝跃

30

基于水蒸汽的二维过渡金属硫属化合物转移方法

201610828299.9

2018/08/21

马晓华;南瑭;王湛;谢涌;李金金;吴瑞雪;雷毅敏

31

基于MATLAB编程的HBT电路芯片温度分析方法

201510125644.8

2018/08/24

吕红亮;王世坤;张义门;张玉明

32

基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法

201610446728.6

2018/08/24

郝跃;戴显英;梁彬;苗东铭;祁林林;焦帅

33

基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法

201610446185.8

2018/09/11

戴显英;焦帅;郝跃;吴武健;苗东铭;祁林林;梁彬

34

基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法

201610446252.6

2018/09/11

苗东铭;戴显英;郝跃;祁林林;梁彬;焦帅

35

基于3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器及制备方法

201610178421.2

2018/09/11

陆芹;宁静;王东;张进成;穆美珊;郝跃

36

基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法

201610445851.6

2018/09/11

苗东铭、戴显英、郝跃、焦帅、祁林林、梁彬

37

基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法

201610446627.9

2018/09/11

苗东铭、戴显英、郝跃、祁林林、梁彬、焦帅

38

多沟道侧栅结构的绝缘栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

201510847054.6

2018/11/16

王冲;魏晓晓;郑雪峰;何云龙;马晓华;张进成;郝跃

39

GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法

201610298297.3

2018/11/16

张金风;安阳;黄旭;张进成;郝跃

40

基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法

201610445758.5

2018/11/16

苗东铭;戴显英;郝跃;焦帅;祁林林;梁彬

41

基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法

201610124746.2

2018/11/20

张春福;韩根全;彭芮之;郝跃;张进城;冯倩

42

基于MOSFET开关动态特性的驱动电路

201610365021.2

2018/11/20

张艺蒙;许耀;宋庆文;汤晓燕;张玉明

43

一种dB线性超宽带可变增益放大器

201610045159.4

2018/01/05

李振荣、庄奕琪、庞瑞、刘心彤

44

一种两级差动低噪声放大器

201610044631.2

2018/08/03

李振荣、庄奕琪、郝张伟、张超越

45

一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器

201610045158.X

2018/10/26

李振荣、庄奕琪、井凯、曾其发

46

一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦

201610044327.8

2018/06/26

李振荣、庄奕琪、权星、邱芳

47

基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法

201610015393.2

2018/10/23

杨林安、王晓燕、徐洋、严霏、郝跃

48

一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法

201610150646.7

2018/06/29

杨林安、李杨、王少波、郝跃

49

量子点敏化太阳能电池TiO2光阳极缺陷的修复方法

201610585452.X

2018/01/19

张茂林、李智敏、李金霖、闫养希、郝跃

50

异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法

201510540631.7

2018/09/14

刘翔宇、胡辉勇、张鹤鸣、宋建军、舒斌、宣荣喜

51

GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法

201610029805.8

2018/09/21

舒斌、范林西、吴继宝、陈景明、张鹤鸣、宣荣喜、胡辉勇、宋建军、王斌

52

垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法

201510411372.8

2018/03/16

舒斌、吴继宝、范林西、陈景明、张鹤鸣、宣荣喜、胡辉勇、宋建军、王斌

53

氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法

201510383479.6

2018/06/19

舒斌、陈景明、范林西、吴继宝、张鹤鸣、宣荣喜、胡辉勇、宋建军、王斌

54

用于长波光通信的光电探测器及制备方法

201710074465.5

2018/03/16

胡辉勇、吴继宝、舒斌、陶春阳、杨虹、范林西、李露、王斌、张鹤鸣、宣荣喜

55

双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法

201510511276.0

2018/03/6

宣荣喜、腾飞、苗渊浩、张鹤鸣、胡辉勇

56

单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法

201510510683.X

2018/04/03

宋建军、朱贺、苗渊浩、张鹤鸣、胡辉勇

57

探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法

201710074466.X

2018/03/16

胡辉勇、吴继宝、舒斌、李露、刘伟、范林西、陶春阳、王斌、张鹤鸣、宋建军

58

一种中子探测器性能测试系统

201820178841.5

2018/10/30

郭辉、张晨旭、张玉明、王雨田、黄海栗

59

耐高温碳化硅欧姆接触结构

201720867869.5

2018/01/19

张艺蒙、张玉明、李彦良、宋庆文、汤晓燕

60

一种SiC欧姆接触结构

201720867878.4

2018/03/30

张艺蒙、张玉明、李彦良、宋庆文、汤晓燕

61

欧姆接触结构

201720867867.6

2018/02/23

张艺蒙、张玉明、李彦良、宋庆文、汤晓燕

62

带有双区浮动结的碳化硅UMOSFET器件及制作方法

201510190692.5

2018/07/03

汤晓燕、田瑞彦、宋庆文、张艺蒙、张玉明

63

一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件

201510486076.4

2018/04/17

贾仁需、汪钰成、吕红亮、张玉明

64

一种垂直导电结构SiC MOSFET功率器件

201510486184.1

2018/07/31

贾仁需、汪钰成、吕红亮、张玉明

65

一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法

201410428862.4

2018/03/27

宋庆文、周婷、王悦湖、汤晓燕、张艺蒙、张玉明

66

一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件

201510490789.8

2018/04/20

张艺蒙、唐美艳、宋庆文、汤晓燕

67

带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法

201410166459.9

2017/12/22

宋庆文、蒋明伟、汤晓燕、张艺蒙、贾仁需、王悦湖、张玉明

68

具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件

201410166403.3

2017/12/01

宋庆文、杨帅、汤晓燕、张艺蒙、贾仁需、张玉明、王悦湖

69

一种高温碳化硅功率器件封装结构及其制备方法

201410339911.7

2017/12/29

张艺蒙、李家昌、宋庆文、王悦湖、张玉明、汤晓燕、贾仁需

70

基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法

201611123708.1

2018/11/27

贾仁需、刘银涛、汪钰成、庞体强、张玉明

71

基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法

201611122943.7

2018/11/27

贾仁需、刘银涛、汪钰成、庞体强、张玉明

72

Method for Preparing Structured Graphene on SiC Substrate Based on Cl2Reaction

US9,951,418B2

2018/04/24

郭辉;张克基;张玉明;邓鹏飞;雷天民;张凤祁


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