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授权专利
专利申请情况(5)
作者:  文章来源:  发布时间:2011-12-13  阅读次数:48

 

序号

专利名称

发明人

申请时间

专利号申请号

专利

类型

1

一种基于指令预取的多核共享存储器控制设备

李康、光青、郝跃、雷理、彭毓佳

CN 102207916

发明

专利

2

一种基于交叉开关结构的片上互连方法

李康、范勇、雷理、 赵庆贺、史江一、 马佩军、郝跃

201110210017.6

发明

专利

3

一种基于多核多线程处理器的功能宏流水线实现方法

李康、赵庆贺、雷理、 范勇、马佩军、 史江一、郝跃

201110309287.2

发明

专利

4

AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法

郝跃、张伟、毛维

20010528

201110140930.3.

发明

专利

5

一种p-i-n夹层结构InGaN太阳电池

郝跃、毕臻、张进成、周小伟、马晓华、王冲

 

201110293423.3

发明

专利

6

含有超晶格结构的p-i-nInGaN太阳电池

郝跃、毕臻、周小伟、张进成、马晓华、王冲

 

201110300096.X

发明

专利

7

aGaN外延层薄膜腐蚀应力的Raman表征

郝跃、王党会、许晟瑞、张进成、张金凤、毕志伟、毛维、马晓华、赵胜雷、薛晓咏、艾姗

 

201110293524.0

发明

专利

8

N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法

汤晓燕、元磊、张玉明、张义门、王文、
杨飞

20110512

201110122724.X

发明

专利

9

基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法

汤晓燕、元磊、
张玉明、张义门、
王文、杨飞

20110623

201110169285.8

发明

专利

10

N沟道积累SiC IEMOSFET器件及制备方法

汤晓燕、张超、张玉明、张义门、杨飞、
王文

20110512

201110122219.5

发明

专利

11

外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制备方法

汤晓燕、张超、
张玉明、张义门、
杨飞、王文

20110623

201110171696.0

发明

专利

12

基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器

吕红亮、项萍、
张玉明、张金灿、杨实

20110512

201110122835.0

发明

专利

13

基于HBT器件的可预置D触发器

张玉明、项萍、吕红亮、张玉娟、杨实、
张金灿

20110630

201110182612.3

发明

专利

14

碳化硅环状电极PIN型核电池

郭辉、张玉娟、
张玉明、石彦强

20110630

201110182479.1

发明

专利

15

碳化硅网格状电极PIN型核电池

郭辉、张玉娟、
张玉明、石彦强、项萍

20110630

201110181205.0

发明

专利

16

双极型晶体管参数提取方法及其等效电路

吕红亮、杨实、张玉明、张义门、张金灿、

许晟瑞、项萍、张晓鹏

20110629

201110179933.8

发明

专利

17

复合介质层的SiC MOS电容及其制作方法

张玉明、宋庆文、

张义门、汤晓燕、

贾仁需、王悦湖

20110624

201110171668.9

发明

专利

18

I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法

郭辉、张克基、
张玉明、张玉娟、
韩超、石彦强

20111019

201110319001.9

发明

专利

19

I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法

郭辉、张克基、
张玉明、张玉娟、
韩超、石彦强

20111019

201110318293.4

发明

专利

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