您现在所在位置:首页 > 科学研究 / 授权专利
授权专利
专利授权情况-2016年
作者:  文章来源:  发布时间:2016-12-20  阅读次数:46

1

带源场板槽栅AIGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

冯倩,杜锴,梁日泉,代波,张进城,郝跃

2016.05.04

ZL201410025540.5

发明

2

基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

冯倩,杜锴,代波,张春福,梁日泉,张进成,郝跃

2016.08.17

ZL201410025538.8

发明

3

一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及制作方法

冯倩,董良,代波,杜锴,郑雪峰,杜鸣,张春福,马晓华,郝跃

2016.09.28

ZL201410312189.8

发明

4

一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其制备方法

马中发,张鹏,吴勇,庄奕琪,肖郑操,赵钰迪,郭超,冯元博

2016.06.29

ZL201310148699.1

发明

5

一种基于低频噪声的ESD监测设备

马中发,吴勇,张鹏,庄奕琪,赵钰迪,郭超,肖郑操,冯元博

2016.01.20

ZL201310148231.2

发明

6

一种高压大容量电容器低频噪声测试方法

马中发,吴勇,张鹏

2016.07.06

ZL201410213334.7

发明

7

一种大规模h-BN介质石墨烯集成电路制备方法

张鹏,马中发,吴勇,庄奕琪,赵钰迪,冯元博,陈祎坤

2016.03.23

ZL201310562335.8

发明

8

一种功率开关衬底选择的最高电压跟踪电路

刘帘曦,张雪军,朱樟明,杨银堂

2016.01.06

ZL201410317681.4

发明

9

一种可选择的误差放大器和电压比较器复用电路

刘帘曦,宋宇,马丽,张雪军,朱樟明,杨银堂

2016.09.21

ZL201410401063.8

发明

10

带隙电压基准电路

刘帘曦,牛越,刘术彬,杨银堂

2016.06.01

ZL201310021495.1

发明

11

低功耗、低温度系数基准源电路

王玉涛,姚娇娇,杨银堂,朱樟明

2016.02.03

ZL201410186644.4

发明

12

一种高速、高精度、低失调全差分动态比较器

刘敏杰,朱樟明,刘术彬,杨银堂

2016.11.09

ZL201310027090.9

发明

13

一种原边反馈变换器的输出整流二极管温度补偿电路

朱樟明,吴强,过伟,刘帘曦,杨银堂

2016.01.13

ZL201410852284.7

发明

14

可配置片上低压差线性稳压器

朱樟明,张鹏,刘马良,杨银堂,陈新乐

2016.01.20

ZL201410099580.4

发明

15

电流模带隙基准电流源

朱樟明,薛婷,陈雨,丁瑞雪,杨银堂

2016.01.20

ZL201310295990.1

发明

16

一种叠层高通滤波器

邢孟江,杨银堂,李春宇

2016.03.30

ZL201110390657.X

发明

17

基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,马晓华,郑雪峰,代波,郝跃

2016.08.17

ZL201410033307.1

发明

18

一种基于耗尽型高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,梁日泉,代波,郝跃

2016.08.17

ZL201410029885.8

发明

19

基于复合漏极的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,杜鸣,张春福,梁日泉,郝跃

2016.05.25

ZL201410030942.4

发明

20

基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,杜鸣,张春福,梁日泉,郝跃

2016.06.29

ZL201410033431.8

发明

21

基于超结的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,代波,张春福,梁日泉,郝跃

2016.04.13

ZL201410030986.7

发明

22

加源场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

冯倩,杜锴,马晓华,郑雪峰,代波,郝跃

2016.05.25

ZL201410025460.X

发明

23

耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,杜鸣,张春福,梁日泉,郝跃

2016.03.02

ZL201410029319.7

发明

24

加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法

冯倩,杜锴,代波,张春福,梁日泉,郝跃

2016.05.18

ZL201410025002.6

发明

25

一种基于槽栅高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,马晓华,郑雪峰,代波,郝跃

2016.03.02

ZL201410033269.X

发明

26

加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

冯倩,杜锴,马晓华,郑雪峰,代波,郝跃

2016.05.18

ZL201410025519.5

发明

27

基于超结漏场板的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,代波,张春福,梁日泉,郝跃

2016.03.02

ZL201410030941.X

发明

28

基于mGaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法

许晟瑞,姜腾,郝跃,张进成,张春福,林志宇,陆小力,倪洋

2016.11.09

ZL201410165612.6

发明

29

一种高频宽衰减范围有源可变衰减器电路

庄奕琪,李振荣,井凯,李小明,李聪,刘伟峰,曾志斌,靳刚,汤华莲

2016.11.09

ZL201410188025.9

发明

30

4H-SiC金属半导体场效应晶体管

贾护军,裴晓延,孙哲霖

2016.11.23

ZL201410181931.6

发明

31

并联式PINβ辐照电池及其制备方法

郭辉,顾 磊,王悦湖,张蒙,张玉明

2016.10.12

ZL201410299924.6

发明

32

基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法

杨林安,许详,李亮,张进成,郝跃

2016.10.12

ZL201410272508.7

发明

33

多物理量多芯片组件设计平台及设计方法

董刚,辛洋,杨银堂

2016.11.02

ZL201418002851.0

国防

34

碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法

郭辉,翟华星,张艺蒙,宋庆文,张玉明,汤晓燕

2016.10.12

ZL201410163147.2

发明

35

低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器

庄奕琪,李振荣,张岩龙,靳刚,汤华莲,张丽,李聪,曾志斌

2016.08.10

ZL201310391182.5

发明

36

沟槽栅碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法

郭辉 ,翟华星,张艺蒙,宋庆文,张玉明,汤晓燕

2016.08.24

ZL201410162752.8

发明

37

基于mGaN上的极性AlGaN纳米线材料及其制作方法

许晟瑞,姜腾,郝跃,张进成,张春福,林志宇,杨林安,张金风

2016.08.17

ZL201410166259.3

发明

38

HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法

郑雪峰,范爽,孙伟伟,张建坤,康迪,王冲,杜鸣,曹艳荣,马晓华,郝跃

2016.08.17

ZL201410319025.8

发明

39

测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法

郑雪峰,范爽 ,康迪,王冲,张建坤,杜鸣,毛维,曹艳荣,马晓华,郝跃

2016.08.17

ZL201410317290.2

发明

40

硅衬底的Al2O3栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法

郭辉,赵亚秋,张玉明,黄海栗,雷天民,胡彦飞

2016.08.17

ZL201410060321.0

发明

41

穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法

郭辉 ,翟华星,宋庆文,张艺蒙 ,张玉明,汤晓燕

2016.08.17

ZL201410163736.0

发明

42

一种基于CAD蒙特卡洛分析的电路成品率估算方法

游海龙,贾新章,顾铠,张潇哲

2016.08.17

ZL201310577280.8

发明

43

基于有源电感实现的半有源片上电感

庄奕琪,李振荣,张翔,汤华莲,张丽,靳刚,李聪

2016.07.06

ZL201310392076.9

发明

44

硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器

庄奕琪,李振荣,张岩龙,靳 刚,汤华莲,张丽,李 聪,曾志斌

2016.07.06

ZL201310391271.X

发明

45

一种双向SCR结构的ESD防护器件

庄奕琪,李振荣,王枭,刘伟峰,曾志斌,靳刚,汤华莲,李小明,李聪

2016.07.06

ZL201410200747.1

发明

46

以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法

  辉,赵亚,张玉明,黄海栗,雷天民,胡彦飞

2016.06.29

ZL201410058290.5

发明

47

数模转换器动态校正装置

庄奕琪,汤华莲,席望,张丽,曾志斌

2016.06.29

ZL201310192069.4

发明

48

实时块浮点频域四路脉冲压缩器及其脉冲压缩方法

史江义,叶海南,陈付锁 ,马佩军,舒浩,贾琳黎 ,张璐,姜劼

2016.05.25

ZL201410163740.7

发明

49

基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法

王东,韩砀,宁静,闫景东 ,柴正,张进成,郝跃

2016.05.25

ZL201310646117.2

发明

50

垂直腔表面发射激光器的驱动器

贾护军,李泳锦,李晓彦 ,杨银堂,邹姣,王志彦

2016.04.13

ZL201310374491.1

发明

51

基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路

庄奕琪, 李振荣,李国华,靳刚,李聪

2016.04.13

ZL201310302691.6

发明

52

用于生长石墨烯的MOCVD反应室

王东 ,韩砀,宁静,柴正 ,闫景东,张进成,郝跃

2016.03.02

ZL201310646355.3

发明

53

基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法

刘红侠,费晨曦,范小娇, 飞,樊继斌,许韩晨玺

2016.03.02

ZL201310280178.1

发明

54

90纳米CMOS工艺下带偏置电路的静电放电箝位电路

刘红侠, 杨兆年

2016.03.02

ZL201310280217.8

发明

55

多核网络处理器的片上互联结构及其方法

史江义,李涛,李超,马佩军 ,邸志雄,郝跃

2016.01.20

ZL201310036017.8

发明

56

半分布式无源可变衰减器

庄奕琪,李振荣,张岩龙,靳 刚,汤华莲,张丽,李 聪,曾志斌

2016.01.20

ZL201310391024.X

发明

57

一种基于外围垂直互连技术的叠层型3D-MCM结构

董刚,刘权威,杨银堂

2016.02.10

ZL201210595679.4

发明

58

基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法

王东,闫景东,宁静,韩砀,柴正,张进成,郝跃

2016.01.13

ZL201310647163.4

发明

59

加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

冯倩,杜锴,代波,张春福,梁日泉,郝跃

2016.06.29

ZL201410024945.7

发明

60

一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法

冯倩,董良,代波,杜锴,郑雪峰,杜鸣,张春福,马晓华,郝跃

2016.11.16

ZL201410311885.7

发明

61

基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法

冯倩,杜锴,代波,张春福,梁日泉,郝跃

2016.05.04

ZL201410029857.6

发明

62

加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法

冯倩,杜锴,马晓华,郑雪峰,代波,郝跃

2016.05.04

ZL201410025516.1

发明

63

一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法

冯倩,董良,代波,杜锴,陆小力,马晓华,郑雪峰,郝跃

2016.11.09

ZL201410312757.4

发明

64

IRFPA探测器非均匀响应的双边全变分正则化校正方法

赖睿,肖鹤玲,张剑贤,杨银堂,周慧鑫,秦翰林,王炳健

2016.08.17

ZL201410116715.3

发明

65

一种SOI应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,李妤晨,张鹤鸣,宣荣喜,舒斌,戴显英,郝跃

2016.05.25

ZL201210244289.2

发明

66

一种基于晶面选择的三应变SOI SiBiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,王海栋,王斌,张鹤鸣,宣荣喜,舒斌,郝跃

2016.04.13

ZL201210244137.2

发明

67

一种基于三多晶SiGe HBT的应变BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,李妤晨,宣荣喜,张鹤鸣,舒斌,戴显英,郝跃

2016.03.30

ZL201210243689.1

发明

68

一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,张鹤鸣,王海栋,周春宇,胡辉勇,宣荣喜,戴显英,郝跃

2016.03.30

ZL201210243767.8

发明

69

一种混合晶面平面应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,李妤晨,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,吕懿,舒斌,郝跃

2016.03.30

ZL201210244430.9

发明

70

一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,宣荣喜,吕懿,张鹤鸣,周春宇,舒斌,郝跃

2016.03.30

ZL201210243652.9

发明

71

一种双应变混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,张鹤鸣,宣荣喜,吕懿,周春宇,舒斌,郝跃

2016.03.30

ZL201210243651.4

发明

72

一种基于三多晶SiGe HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,李妤晨,胡辉勇,宋建军,王海栋,宣荣喜,舒斌,郝跃

2016.03.30

ZL201210244312.8

发明

73

一种应变Si/应变SiGe-HBT BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宣荣喜,张鹤鸣,宋建军,王海栋,舒斌,李妤晨,郝跃

2016.02.10

ZL201210243770.X

发明

74

一种混合晶面应变Si应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,王斌,张鹤鸣,宣荣喜,舒斌,戴显英,郝跃

2016.03.02

ZL201210244428.1

发明

75

一种应变Si垂直回型沟道纳米CMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宣荣喜,张鹤鸣,宋建军,王斌,王海栋,李妤晨,郝跃

2016.01.20

ZL201210244170.5

发明

76

一种数字直接频率合成器

刘马良,朱樟明,郭旭龙,杨银堂

2016.11.30

ZL201310019467.6

发明

77

一种高增益宽动态范围CMOS跨阻放大器

刘帘曦,邹姣,朱樟明,杨银堂,牛越

2016.11.30

ZL201310132154.1

发明

78

一种应变Si 垂直沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法

王斌,胡辉勇,张鹤鸣,王海栋,宋建军,舒斌,宣荣喜,郝跃

2016.05.18

ZL201210244427.7

发明

79

一种SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

王斌,胡辉勇,张鹤鸣,周春宇,宋建军,王海栋,宣荣喜,郝跃

2016.02.24

ZL201210244461.4

发明

60

一种SOI三应变平面BiCMOS集成器件及制备方法

王斌,宣荣喜,张鹤鸣,胡辉勇,宋建军,舒斌,李妤晨,郝跃

2016.01.20

ZL201210244373.4

发明

61

选区外延的一维电子气GaNHEMT器件及制备方法

马晓华,郝跃,汤国平,陈伟伟,赵胜雷

2016.03.02

ZL201310280177.7

发明

62

瞬态短脉冲辐射面阵探测器及其制备方法

马晓华,张鹏,贾伟泉,南瑶,郝跃

2016.01.27

ZL201318003797.7

发明

 打印本页 关闭窗口  
© 2013- 西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 版权所有
地    址:西安市太白南路2号
电    话:86-029-88202073  传    真:029-88202073-616
E_mail:pjma@xidian.edu.cn
邮    编:710071
Design & Support 技术支持:新势力网络
西安电子科技大学微电子学院  /  西安电子科技大学科学研究院  /
宽禁带半导体材料教育部重点实验室  /
中科院上海微系统与信息所  /  清华大学信息科学技术学院  /
中科院半导体所  /  西安中为光电科技公司  /
中科院微电子所  /
北京大学微电子院  /