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授权专利
专利授权情况-2015年
作者:  文章来源:  发布时间:2015-12-20  阅读次数:148

1

石墨烯的制备方法

马中发,庄奕琪,肖郑操,吴勇,张鹏,凌宇

2015.10.21

ZL201110388712.1

发明

2

一种探针尖端及其制备方法

马中发,庄奕琪,吴勇,张鹏,陈祺,包军林

2015.11.25

ZL201210032921.7

发明

3

一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆及其制备方法

马中发,张鹏,吴勇,庄奕琪,肖郑操,赵钰迪,郭超,冯元博,

2015.06.24

ZL201310147767.2

发明

4

一种双多晶的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,王海栋,胡辉勇,宋建军,周春宇,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.09.30

ZL201210243645.9

发明

5

一种基于自对准工艺的平面应变BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,宣荣喜,舒斌,张鹤鸣,周春宇,戴显英,郝跃

2015.09.30

ZL201210244399.9

发明

6

一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,宋建军,王海栋,舒斌,宣荣喜,戴显英,郝跃

2015.09.30

ZL201210243169.0

发明

7

一种石墨烯温度传感器及其制备工艺

张鹏,马中发,吴勇,庄奕琪,赵钰迪,冯元博,陈炜坤

2015.12.02

ZL201310586376.0

发明

8

一种基于自对准工艺的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,张鹤鸣,宣荣喜,李妤晨,舒斌,戴显英,郝跃

2015.09.30

ZL201210244090.X

发明

9

一种混合晶面双应变硅基CMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,李妤晨,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,王斌,王海栋,郝跃

2015.09.30

ZL201210244169.2

发明

10

一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宣荣喜,张鹤鸣,吕懿,王斌,舒斌,宋建军,郝跃

2015.09.16

ZL201210244426.2

发明

11

一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,周春宇,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,舒斌,王斌,郝跃

2015.09.16

ZL201210243170.3

发明

12

一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,宋建军,宣荣喜,舒斌,周春宇,王斌,郝跃

2015.08.19

ZL201210244287.3

发明

13

一种双多晶SiGe HBT混合晶面BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,吕懿,胡辉勇,宋建军,李妤晨,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.08.19

ZL201210244372.X

发明

14

一种三多晶SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法

张鹤鸣,周春宇,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,王斌,王海栋,郝跃

2015.08.19

ZL201210244429.6

发明

15

一种基于应变Si回型沟道工艺的应变BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,张鹤鸣,李妤晨,舒斌,吕懿,宣荣喜,郝跃

2015.08.19

ZL201210244636.1

发明

16

一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,张鹤鸣,王斌,吕懿,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.08.19

ZL201210244288.8

发明

17

一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,宣荣喜,舒斌,张鹤鸣,李妤晨,吕懿,郝跃

2015.08.19

ZL201210243598.8

发明

18

一种基于晶面选择的应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,吕懿,胡辉勇,李妤晨,舒斌,宣荣喜,宋建军,郝跃

2015.08.12

ZL201210244138.7

发明

19

一种SOI应变SiGe CMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,王斌,张鹤鸣,宣荣喜,王海栋,吕懿,郝跃

2015.08.19

ZL201210244463.3

发明

20

一种SOI BJT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,宣荣喜,张鹤鸣,王海栋,舒斌,王斌,郝跃

2015.08.12

ZL201210244424.3

发明

21

一种基于SOI衬底的应变SiGe平面SiBiCMOS集成器件及制备

张鹤鸣,周春宇,宋建军,舒斌,胡辉勇,宣荣喜,戴显英,郝跃

2015.08.12

ZL201210244286.9

发明

22

一种基于自对准工艺的三多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法

张鹤鸣,王斌,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,王海栋,周春宇,郝跃

2015.08.12

ZL201210244140.4

发明

23

一种双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,王斌,宣荣喜,宋建军,胡辉勇,舒斌,戴显英,郝跃

2015.08.12

ZL201210243591.6

发明

24

一种双多晶SOI应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,张鹤鸣,吕懿,李妤晨,胡辉勇,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.08.12

ZL201210244166.9

发明

25

一种应变SiGe垂直回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,李妤晨,王斌,郝跃

2015.01.21

ZL201210244688.9

发明

26

一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,吕懿,周春宇,宣荣喜,胡辉勇,舒斌,宋建军,郝跃

2015.08.12

ZL201210243654.8

发明

27

一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,宋建军,周春宇,舒斌,宣荣喜,戴显英,郝跃

2015.08.12

ZL201210243688.7

发明

28

一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,周春宇,吕懿,张鹤鸣,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.08.12

ZL201210243600.1

发明

29

一种基于自对准工艺的双多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,王斌,张鹤鸣,宣荣喜,王海栋,周春宇,郝跃

2015.08.12

ZL201210244398.4

发明

30

一种基于SOI衬底的双应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,周春宇,宋建军,舒斌,胡辉勇,宣荣喜,戴显英,郝跃

2015.08.12

ZL201210244480.7

发明

31

一种基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,李妤晨,宋建军,宣荣喜,舒斌,戴显英,郝跃

2015.07.22

ZL201210244638.0

发明

32

一种垂直沟道混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,张鹤鸣,宣荣喜,周春宇,舒斌,戴显英,郝跃

2015.07.22

ZL201210243653.3

发明

33

一种基于晶面选择的双应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,宋建军,王海栋,王斌,胡辉勇,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.07.22

ZL201210243597.3

发明

34

一种基于SOI衬底的BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,宋建军,胡辉勇,王海栋,舒斌,吕懿,宣荣喜,郝跃

2015.07.22

ZL201210244139.1

发明

35

一种SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,吕懿,张鹤鸣,宣荣喜,王斌,舒斌,郝跃

2015.07.22

ZL201210244397.X

发明

36

一种SiGe HBT器件应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,张鹤鸣,舒斌,李妤晨,吕懿,宣荣喜,郝跃

2015.07.22

ZL201210243599.2

发明

37

一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,周春宇,宋建军,李妤晨,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.06.24

ZL201210244315.1

发明

38

一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,李妤晨,胡辉勇,宋建军,宣荣喜,王斌,王海栋,郝跃

2015.07.10

ZL201210244462.9

发明

39

SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,李妤晨,吕懿,郝跃

2015.07.01

ZL201210244421.X

发明

40

一种混合晶面三应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,宋建军,王海栋,周春宇,胡辉勇,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.05.20

ZL201210244637.6

发明

41

一种混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,李妤晨,胡辉勇,吕懿,宣荣喜,舒斌,宋建军,郝跃

2015.05.20

ZL201210244596.0

发明

42

一种双应变CMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,宣荣喜,张鹤鸣,王斌,王海栋,郝跃

2015.04.22

ZL201210244477.5

发明

43

一种双多晶应变SiGe SOI BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,周春宇,宋建军,宣荣喜,胡辉勇,舒斌,戴显英,郝跃

2015.04.22

ZL201210244311.3

发明

44

一种基于SOI衬底的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宣荣喜,张鹤鸣,宋建军,王斌,舒斌,戴显英,郝跃

2015.04.22

ZL201210244374.9

发明

45

一种基于SiGe HBT的三应变 BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,宣荣喜,周春宇,张鹤鸣,李妤晨,舒斌,郝跃

2015.04.22

ZL201210244089.7

发明

46

一种混合晶面垂直沟道SiBiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宣荣喜,张鹤鸣,宋建军,吕懿,舒斌,王海栋,郝跃

2015.04.22

ZL201210244422.4

发明

47

一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宋建军,宣荣喜,舒斌,张鹤鸣,李妤晨,吕懿,郝跃

2015.03.18

ZL201210244313.2

发明

48

一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,王斌,张鹤鸣,宣荣喜,舒斌,周春宇,郝跃

2015.03.04

ZL201210244396.5

发明

49

一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,舒斌,王海栋,张鹤鸣,宣荣喜,郝跃,

2015.01.21

ZL201210244371.5

发明

50

基于T-K控制图的多品种生产模式统计过程控制方法

顾凯,贾新章,游海龙

2015.05.27

ZL201210433123.5

发明

51

一种基于晶面选择的双多晶SOI BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,周晨宇,宣荣喜,宋建军,吕懿,舒斌,郝跃

2015.12.02

ZL201210244532.0

发明

52

一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,宋建军,李妤晨,胡辉勇,周晨宇,宣荣喜,戴显英,郝跃

2015.12.02

ZL201210244167.3

发明

53

用于系统级封装的LTCC双层微带天线

董刚,季强,李龙,杨银堂

2015.08.05

ZL201210595681.1

发明

54

一种基于多核多线程处理器的功能宏流水线实现方法

李康,赵庆贺,雷理,范勇,马佩军,史江义,郝跃

2015.04.22

ZL201110309287.2

发明

55

横向过生长一维电子气GaNHEMT器件及制备方法

郝跃,马晓华,汤国平,陈伟伟,赵胜雷

2015.10.28

ZL201310277894.4

发明

56

基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法

刘红侠,范小娇,费晨曦,卓青青,汪星,尹淑颖

2015.10.28

ZL201310280326.X

发明

57

基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法

郭辉,胡彦飞,张玉明,韦超,雷天民,张克基

2015.09.30

ZL201310039657.4

发明

58

并行排序电路及并行排序方法

郝跃,袁莉,,史江义,舒浩,邸志雄,马佩军

2015.09.30

ZL201310007732.9

发明

59

基于Ni膜退火的Si衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法

郭辉,张晨旭,张玉明,张克基,雷天民 ,邓鹏飞

2015.09.30

ZL201310039693.0

发明

60

基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法

郭辉,韦  超,张玉明, 张克,雷天民,胡彦飞

2015.09.02

ZL201310039823.0

发明

61

增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法

游海龙,赵杨杨 ,贾新章,顾铠,刘鹏

2015.08.05

ZL201310391190.X

发明

62

InP HBT小信号模型的参数提取方法

吕红亮,周威,张金灿,张玉明,张义,刘一峰

2015.07.15

ZL201310028044.0

发明

63

基于FPGA的高速定点FFT处理器及其处理方法

史江义,舒浩,谢辉辉,马佩军,田映辉, 邸志雄,汤海华

2015.06.17

ZL201210364566.3

发明

64

谐振腔式的双MOS光电探测器

贾护军,成涛,范忱

2015.05.27

ZL201310043845.4

发明

65

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法

王冲,郝跃,何云龙,郑雪峰,马晓华,张进城

2015.05.27

ZL201210476553.5

发明

66

MOS结构的光电探测器

贾护军,范忱,毛周,李帅

2015.04.08

ZL201310039617.X

发明

67

用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法

吕红亮,宁旭斌,张玉明,张义门,崔强生,  武利翻

2015.04.08

ZL201310030640.2

发明

68

原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法

王冲,何云龙,郝 跃,郑雪峰,马晓华,张进城

2015.02.18

ZL201210476552.0

发明

69

Process for Preparing Graphene on a SiC Substrate Based on Metal Film-Assisted Annealing

郭辉,张克基,张玉明,邓鹏飞,雷天民

2015.06.02

US9048092B2

发明

70

氮化镓基增强耗尽型电平转换电路

郝跃,张译,史江义,马佩军,杨小峰 ,邸志雄

2015.06.17

ZL201310055261.9

发明

71

一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,宣荣喜,张鹤鸣,宋建军,吕懿,王海栋,王斌,郝跃

2015.07.22

ZL201210244375.3

发明

72

一种基于SOI衬底的应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,张鹤鸣,吕懿,李妤晨,胡辉勇,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.08.12

ZL201210243596.9

发明

73

低压、低温度系数基准源电路

姚娇娇,杨银堂,孟洋,王玉涛,朱樟明

2015.09.16

ZL201310566819.X

发明

74

基于a6H-SiC衬底上aGaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法

许晟瑞,曹荣涛,张进成,郝跃,哈微,葛莎莎

2015.10.21

ZL201310237610.9

发明

75

一种应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,王海栋,胡辉勇,宋建军,宣荣喜,王斌,戴显英,郝跃

2015.12.09

ZL201210244168.8

发明

76

一种双多晶双应变混合晶面SiBiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,吕懿,胡辉勇,王海栋,宋建军,宣荣喜,舒斌,郝跃

2015.12.16

ZL201210244314.7

发明

77

一种p-i-nInGaN/p-nSi双结叠层太阳电池及其制备方法

毕臻,郝跃,张进成,李培咸,马晓华,侯耀伟

2015.12.23

ZL201310214435.1

发明

78

一种三应变全平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法

王斌,宣荣喜,胡辉勇,张鹤鸣,吕懿,周春宇,宋建军,郝跃

2015.12.02

ZL201210243655.2

发明

79

一种基于晶面选择的双多晶SOI BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,周春宇,宣荣喜,宋建军,吕懿,舒斌,郝跃

2015.12.02

ZL201210244532.0

发明

80

一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,宋建军,王海栋,舒斌,宣荣喜,戴显英,郝跃

2015.09.30

ZL201210243169.0

发明

81

一种基于SOI衬底的双多晶平面应变BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,王斌,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,吕懿,舒斌,郝跃

2015.04.22

ZL201210244531.6

发明

82

一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法

郝跃,查冬,戴显英,楚亚萍,孙腾达,杨程,张鹤鸣

2015.04.18

ZL201110361527.3

发明

83

横向过生长一维电子气GaNHEMT器件及制备方法

郝跃,马晓华,汤国平,陈伟伟,赵胜雷

2015.10.28

ZL201310277894.4

发明

84

离子注入的一维电子气GaNH EMT器件及制备方法

马晓华,汤国平,郝跃,陈伟伟,赵胜雷

2015.09.30

ZL201310279945.7

发明

85

基于刻蚀的一维电子气GaNHEMT器件及制备方法

马晓华,陈伟伟,汤国平,郝跃,赵胜雷

2015.10.28

ZL201310280216.3

发明

86

二次生长的一维电子气GaNHEMT器件及制备方法

马晓华,郝跃,汤国平,陈伟伟,赵胜雷

2015.10.28

ZL201310280220.X

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