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授权专利
部分国家发明专利(4)
作者:  文章来源:  发布时间:2011-12-14  阅读次数:48
 

序号

专利名称

发明人

授权时间

专利号

专利

类型

1

基于mAl2O3衬底上半极性GaN的生长方法

郝跃、许晟瑞、周小伟、张进成

20110921

ZL201010155019.5

发明专利

2

基于γLiAlO2衬底上非极性mGaNMOCVD生长方法

郝跃、许晟瑞、薛军帅、周小伟、张进成、曹艳荣、蔡冒世、王昊

20111019

ZL201010209568.6

发明专利

3

基于a6HSiC衬底上非极性mGaNMOCVD生长方法

郝跃、许晟瑞、张进成、周小伟、杨林安、史林玉、王昊、陈珂

2011

ZL201010209324.8

发明专利

4

绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

毛维、郝跃、杨翠、过润秋、张进成、马晓华、许晟瑞

20110601

ZL200810232512.5

发明专利

5

AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的制作方法

郝跃、杨凌、马晓华、周小伟、李培咸

20110406

ZL200910021793.4

发明专利

6

SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法

郝跃、杨凌、马晓华、周小伟、李培咸

20110406

ZL200910021764.8

发明专利

7

基于缺陷边界值变化次数的IC缺陷分类方法

刘红侠、周文、高博

20110209

ZL200910020850.7

发明专利

8

全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

王冲、郝跃、马晓华、
张进成、曹艳荣、杨凌

20110824

ZL201010013536.9

发明专利

9

4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法

张玉明、郭辉、王党朝、张义门、汤晓燕、
王悦湖、王德龙

20110427

ZL200910023384.8

发明专

10

提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法

苗瑞霞、张玉明、
汤晓燕、张义门

20110715

ZL200910218656.X

发明专利

11

偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法

张玉明、陈丰平、吕红亮、王悦湖、张林、
郑庆立、宋庆文

20110624

ZL200910022015

发明专利

12

基于规则拓扑库面向应用的片上网络生成方法

蔡觉平、刘政、郝跃、李赞、黄岗、姚磊、王炼、雷敬楹、任泽坤、李圣

20111028

ZL201010144088.6

发明专利

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