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授权专利
专利授权情况-2014年
作者:  文章来源:  发布时间:2014-12-20  阅读次数:143
 

1

集成电路系统中小数乘法器的低功耗优化方法

刘红侠,袁博

2014.03.12

ZL201110289984.6

发明

2

P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

王悦湖,杨阳,张玉明,张晓朋

2014.04.02

ZL201210077304.9

发明

3

基于JPEG2000标准的多线程算术编码电路和方法

郝跃,邸志雄,逄杰,史江义,马佩军,田映辉,龚章芯

2014.04.02

ZL201210000505.9

发明

4

基于蓝牙网络的战时动态信息共享系统及控制方法

庄奕琪,曾志斌,杨保军

2014.04.16

ZL201110010237.4

国防

5

用于功率集成电路的SiC-BJT器件及其制作方法

吕红亮,宁旭斌,张玉明,张晓朋

2014.04.16

ZL201210077232.8

发明

6

I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法

郭辉,张克基,张玉明,张玉娟,韩超,石彦强

2014.04.16

ZL201110318293.4

发明

7

脉搏波数据基线不平的修正方法

蔡觉平,曾祥云,赵连锋,袁念德;

2014.05.14

ZL201110161081.X

发明

8

GaN纳米柱反转结构的混合太阳能电池的制作方法

冯倩,张璐,邢韬,李倩,郝跃

2014.06.04

ZL201210131229.X

发明

9

基于Cu膜退火向SiCSi的石墨烯纳米带制备方法

郭辉,张克基,张玉明,赵艳黎,张凤祁,雷天民

2014.06.18

ZL201210151563.1

发明

10

N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

王悦湖,张晓朋,张玉明,杨阳

2014.07.09

ZL201210077366.X

发明

11

基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法

郭辉,赵艳黎,张玉明,汤小燕,雷天民,张克基

2014.07.09

ZL201210484532.8

发明

12

叠栅SiC-MIS电容的制作方法

刘莉,王德君,马晓华,杨银堂

2014.07.09

ZL201210118317.6

发明

13

基于Ni膜退火向SiCSi的石墨烯纳米带制备方法

郭辉,张克基,张玉明,张凤祁,赵艳黎,雷天民

2014.07.23

ZL201210151879.0

发明

14

基于多芯片组件的SAR信号处理装置

董刚,刘全威,杨银堂

2014.08.13

ZL201218000613.7

国防

15

无机与有机混合太阳能电池

冯倩,李倩,郝跃,王强,邢涛

2014.08.20

ZL201210010929.3

发明

16

基于GaNMIS栅增强型HEMT器件及制作方法

张进成,张琳霞,郝跃,马晓华,王冲,霍晶,艾姗,党李莎,孟凡娜,姜腾,赵胜雷

2014.08.20

ZL201210131041.5

发明

17

256比特位密钥扩展系统及方法

郝跃,赵哲斐,史江一,邸志雄,李康,赵彦尚

2014.08.20

ZL201210133163.8

发明

18

GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

张进成,张琳霞,郝跃,马晓华,王冲,艾姗,周昊,李小刚,霍晶,张宇桐

2014.08.20

ZL201210132145.8

发明

19

基于访问信息调度的片上多核共享存储控制器

马佩军,邹辉辉,史江一,赵伟峰,董伟,李康,郝跃

2014.08.20

ZL201210208115.0

发明

20

用于无源UHF RFID芯片的EEPROM读取装置

庄奕琪,杜永乾,李小明,景鑫,刘伟峰,王博

2014.08.20

ZL201110245181.0

发明

21

基于GaN纳米柱结构的染料敏化太阳能电池的制作方法

冯倩,张璐,邢韬,李倩,郝跃

2014.09.17

ZL201210133078.1

发明

22

氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法

冯倩,李倩,郝跃,邢涛,王强

2014.10.01

ZL201210010844.5

发明

23

集成天线的3D-MCM射频系统

董刚,吴棹耀,杨银堂

2014.10.22

ZL201218000612.2

国防

24

基于AES192比特位密钥扩展系统及方法

史江一,赵哲斐,郝跃,邸志雄,李康,赵彦尚

2014.10.29

ZL201210132394.7

发明

25

基于高级加密标准AES128比特位密钥扩展方法

郝跃,赵哲斐,史江一,邸志雄,李康,赵彦尚,张译

2014.11.12

ZL201210132558.6

发明

26

用于无源UHF RFID芯片的EEPROM的电荷泵电路

庄奕琪,杜永乾,李小明,任小娇

2014.11.19

ZL201210245516.3

发明

27

机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法

戴显英,张鹤鸣,郝跃,王琳,宁静,李志,王晓晨,查冬,付毅初

2014.12.10

ZL201110361512.7

发明

28

晶圆级单轴应变SGOI的制作方法

郝跃,王晓晨,戴显英,金国强,李志,王琳,张鹤鸣

2014.09.24

ZL201110361525.4

发明

29

基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法

戴显英,王琳,张鹤鸣,董洁琼,文耀民,查冬,宁静,郝跃

2014.10.08

ZL201110361515.0

发明

30

基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法

戴显英,李志,邵晨峰,王船宝,郝跃,张鹤鸣,王晓晨

2014.09.24

ZL201110361521.6

发明

31

基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法

郝跃,杨程,戴显英,奚鹏程,徐常春,王希,张瀚中,张鹤鸣

2014.09.24

ZL201110361530.5

发明

32

一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法

戴显英,宁静,吉瑶,邓文洪,刘颖,郑若川,张鹤鸣,郝跃

2014.12.10

ZL201110361513.1

发明

33

基于机械弯曲台的AlN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法

郝跃,付毅初,戴显英,刘光宇,曹婷婷,张金榜,苑志刚,张鹤鸣

2014.12.10

ZL201110361514.6

发明

34

基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法

戴显英,郑若川,郭静静,王宗伟,朱正国,李金龙,田茂源,郝跃,张鹤鸣

2014.12.10

ZL201110361523.5

发明

35

一种应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,王海栋,胡辉勇,宋建军,宣荣喜,王斌,周春宇,郝跃

2014.12.31

ZL201210244400.8

发明

36

一种双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,王斌,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,舒斌,王海栋,郝跃

2014.12.31

ZL201210244464.8

发明

37

一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣,王海栋,胡辉勇,宋建军,宣荣喜,舒斌,戴显英,郝跃

2014.12.31

ZL201210244722.2

发明

38

一种三多晶应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇,张鹤鸣,宋建军,宣荣喜,周春宇,舒斌,吕懿,郝跃

2014.12.31

ZL201210244465.2

发明

39

一种基于自对准工艺的应变SiGe垂直沟道SiBiCMOS集成器件及制备方法

宋建军,胡辉勇,吕懿,宣荣喜,张鹤鸣,周春宇,舒斌,郝跃

2014.12.31

ZL201210243766.3

发明

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