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授权专利
专利授权情况-2013年
作者:  文章来源:  发布时间:2013-12-20  阅读次数:43

1

基于全变分迭代反向投影的单帧图像空间分辨率增强方法

赖睿,杨银堂,王炳健,周慧鑫,秦翰林

2013.01.03

ZL201110134444.0

发明

2

基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路

吕红亮,侯学智,张玉明,张义门,石彦强

2013.01.23

ZL201010214611.8

发明

3

高性能抗串扰时空总线编解码方法及其编解码装置

刘毅,杨银堂,钟广德

2013.01.23

ZL201010120826.3

发明

4

基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法

汤晓燕,元磊,张玉明,张义门,王文,杨飞

2013.02.27

ZL201110169285.8

发明

5

基于蓝牙的短波/超短波电台

庄奕琪,曾志斌,李聪,申振宁

2013.04.03

ZL200910120273.9

发明

6

基于蓝牙的短波/超短波电台收发系统

庄奕琪,申振宁,曾志斌,李聪

2013.04.03

ZL200910120272.4

发明

7

基于栅场板和漏场板的复合场板功率器件

毛维,郝跃,杨翠,过润秋,杨林安,岳远征,倪金玉

2013.04.03

ZL200810078211.1

发明

8

绝缘栅型栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法

郝跃,过润秋,毛维,张金风,杨翠,岳远征

2013.04.03

ZL200810078209.4

发明

9

槽栅型栅场板异质结场效应晶体管

郝跃,过润秋,毛维,杨翠,马晓华,张进成,王冲

2013.04.03

ZL200810078210.7

发明

10

N沟道积累型SiC IEMOSFET器件的制备方法

汤晓燕,张超,张玉明,张义门,杨飞,王文

2013.03.20

ZL201110122219.5

发明

11

解析计算耦合互联功耗的方法

董刚,贾文星,杨银堂

2013.03.20

ZL201110192136.3

发明

12

零开销切换多线程处理器及其线程切换方法

郝跃,王庆成,李康,马佩军,史江义,林钰凯

2013.03.20

ZL201010013723.7

发明

13

双极型晶体管参数提取方法及其等效电路

吕红亮,杨实,张玉明,张义门,张金灿,许俊瑞,项萍

2013.03.20

ZL201110179933.8

发明

14

基于电流复用的低功耗正交LC压控振荡器

庄奕琪,李振荣,谭雅雯,靳刚,汤华莲,李聪,曾志斌

2013.03.20

ZL201110140939.4

发明

15

AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法

郝跃,张伟,毛维,马红

2013.04.03

ZL201110140930.3

发明

16

基于射频识别技术的器物鉴别装置与方法

庄奕琪,曾志斌,申天宇,汤华莲,李振荣

2013.04.03

ZL201110257523.0

发明

17

深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT制作方法

王冲,郝跃,马晓华,何云龙,张进成,毛维

2013.04.03

ZL201110282236.5

发明

18

基于Cl2反应的大面积石墨烯制备方法

郭辉,吕晋军,张玉明,张克基,邓鹏飞,雷天民

2013.04.03

ZL201210000361.7

发明

19

频率综合器中的电荷泵电路

庄奕琪,李振荣, 傅玲,靳刚,汤华莲

2013.04.17

ZL201110125625.7

发明

20

外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法

汤晓燕,张超,张玉明,张义门,杨飞,王文

2013.04.17

ZL201110171696.0

发明

21

基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的栅场板高电子迁移率晶体管

郝跃,过润秋,毛维,杨翠,马晓华,张进成,张金风

2013.04.17

ZL200810078212.6

发明

22

绝缘交叠栅高电子迁移率晶体管

毛维,郝跃,杨翠,过润秋,张金风,倪金玉,许晟瑞

2013.04.17

ZL200810078213.0

发明

23

aGaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法

郝跃,王党会,许晟瑞,张进成,张金风,毕志伟,毛维,马晓华,赵胜雷,薛晓咏,艾姗

2013.06.12

ZL201110293524.0

发明

24

碳化硅栅状肖特基接触式核电池

郭辉,石彦强,张玉明,韩超,贾仁需,苏江,黄建华

2013.06.12

ZL201010220823.7

发明

25

脉搏波非典型波峰波谷的识别方法

曾祥云,赵连锋,袁念德,蔡觉平

2013.06.12

ZL201110161082.4

发明

26

N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法

汤晓燕,元磊,张玉明,张义门,王文,杨飞

2013.06.26

ZL201110122724.X

发明

27

基于电压反馈开关电容的折线段 拟合电路

刘红侠,蔡惠民

2013.06.26

ZL201110083914.5

发明

28

基于Cu膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法

郭辉,张克基,张玉明,邓鹏飞,雷天民

2013.08.14

ZL201210009503.6

发明

29

带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法

宋坤,柴长春,杨银堂,张现军

2013.08.14

ZL201110257607.4

发明

30

抑制总线串扰的自适应时间编解码装置及其编解码方法

刘毅,杨银堂,焦亚冬,文博

2013.08.14

ZL201010144090.3

发明

31

层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法

郭辉,张克基,张玉明,张玉娟,韩超,石彦强

2013.08.14

ZL201110319001.9

发明

32

带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法

柴长春,宋坤,杨银堂,贾护军

2013.08.14

ZL201110257575.8

发明

33

适应用于无源UHFRFID标签芯片的带隙基准电路

庄奕琪,李小明,杜永乾,景鑫,刘伟峰,靳钊

2013.08.14

ZL201110244795.7

发明

34

半导体器件和集成电路损伤能量阈值的实验方法

柴长春,杨银堂,周军,郁忠国,张冰

2013.06.19

ZL200910122655.5

发明

35

碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法

郭辉,张玉娟,张玉明,石彦强,项萍

2013.09.25

ZL201110181205.0

发明

36

碳化硅环状电极PIN型核电池的制作方法

郭辉,张玉娟,张玉明,石彦强

2013.09.25

ZL201110182479.1

发明

37

基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法

郭辉,邓鹏飞,张玉明,张克基,雷天民

2013.09.25

ZL201210009959.2

发明

38

耦合互联线的静态时序分析的优化

董刚,姜国伟,杨银堂

2013.09.25

ZL201110350821.4

发明

39

无源超高频射频识别芯片解码器及解码方法

庄奕琪,唐龙飞,李小明,刘伟峰,靳钊

2013.09.25

ZL200910023887.5

发明

40

异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构

宋建军,王冠宇,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,周春宇

2013.05.08

ZL201110141775.7

发明

41

基于边界元法的矩形冗余填充耦合电容提取方法

董刚,王延鹏,杨银 堂

2013.09.25

ZL201210000429.1

发明

42

基于Cu膜辅助退火和SiC衬底上石墨烯制备方法

郭辉,邓鹏飞,张玉明,张克基,雷天民

2013.09.25

ZL201210009958.8

发明

43

基于Ni膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法

郭辉,张克基,张玉明,邓鹏飞,雷天民

2013.09.25

ZL201210007709.5

发明

44

3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法

郭辉,张克基,张 玉明,张凤祁,赵艳黎,雷天民

2013.09.25

ZL201210152316.3

发明

45

3C-SiC注入SiNi膜退火石墨烯纳米带制备方法

郭辉,张克基,张玉明,张凤祁,赵艳黎,雷天民

2013.09.25

ZL201210152317.8

发明

46

C注入Cu膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法

郭辉,赵艳黎,张玉明,汤晓燕,张克基

2013.09.25

ZL201210176499.2

发明

47

基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法

郭辉,赵艳黎,张玉明,汤晓燕,张克基

2013.09.25

ZL201210176636.2

发明

48

基于CL2反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法

郭辉,邓鹏飞,张玉明,张克基,雷天民,张凤祁

2013.10.16

ZL201210162173.4

发明

49

雷达信号处理机中的截位电路及其截位方法

史江一,田映辉,邸志雄,杨哲,马晓华,马佩军,郝跃

2013.10.16

ZL201210118318.0

发明

50

基于Ad hoc网络的多模式实时视频系统控制方法

庄奕琪,曾志斌,康镇国,李聪,汤华莲

2013.12.04

ZL201010047903.7

发明

51

基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法

郭辉,赵艳黎,张玉明,汤晓燕,张克基

2013.11.20

ZL201210176437.1

发明

52

基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法

郭辉,张克基,张凤祁,张玉明,雷天民,邓鹏飞

2013.11.20

ZL201210162385.2

发明

53

全差分复位延时可调鉴频鉴相器

庄奕琪,李振荣,朱新亮,靳刚,汤华莲,李聪,曾志斌

2013.11.20

ZL201110147152.0

发明

54

一种基于指令预取的多核共享存储器控制设备

李康,光青,郝跃,雷理,彭毓佳

2013.10.30

ZL201110141796.9

发明

55

模数转换器及其采样保持电路

朱樟明,修利平,李娅妮,刘帘曦,杨银堂

2013.07.24

ZL201010533781.2

发明

56

一种电流熔断型多晶熔丝电路

杨银堂,高榕,李娅妮,刘帘曦,朱樟明

2013.10.23

ZL201010509226.6

发明

57

多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构

宋建军,王冠宇,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,周春宇

2013.04.24

ZL201110134448.9

发明

58

紫外发光二极管器件及其制造方法(Ultraviolet light emitting diode devices and methods for fabricating the same

郝跃,杨林,马晓华,周小伟,李培咸

2013.09.03

US8525198B2

美国发明

59

基于 Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法

郭辉,张晨旭,张玉明,张克基,雷天民,邓鹏飞

2013.12.25

ZL201210158388.9

发明

60

基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法

杨林安,毛伟,何寒冰,郝跃

2013.12.25

ZL201210005728.4

发明

61

雷达信号处理机中的数据截位方法

史江一,田映辉,邸志雄,杨哲,马晓华,马佩军,郝跃,闵俊红,苏涛

2013.12.25

ZL201210118308.7

发明

62

基于HBT器件的可预置D触发器

张玉明,项萍,吕红亮,张玉娟,杨实,张金灿

2013.12.25

ZL201110182612.3

发明

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