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授权专利
专利授权情况-2012年
作者:  文章来源:  发布时间:2012-12-20  阅读次数:121

序列

专利名称

发明人

授权时间

专利号

类别

1

基于a6H-SiC衬底上非极性aGaNMOCVD生长方法

郝跃,许晟瑞,张进成,周小伟,杨林安,史林玉,王昊,陈珂

2012.02.08

ZL201010209324.8

发明

2

电磁加热装置

郝跃,李志明,张进成,白俊春

2012.02.08

ZL200810232210.8

发明

3

抗串扰片上总线编解码方法及其编解码装置

刘毅,杨银堂,钟广德

2012.02.08

ZL201010120837.1

发明

4

基于cSiC衬底上极性cGaNMOCVD生长方法

郝跃,许晟瑞,张进成,杨林安,王昊,陈珂,曹艳荣,杨传凯

2012.02.08

ZL201010209567.1

发明

5

基于rAl2O3衬底上非极性aGaN薄膜的MOCVD生长方法

许晟瑞,郝跃,周小伟,张进成,史林玉,陈珂,杨传凯,欧新秀

2012.03.28

ZL201010209566.7

发明

6

基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法

郝跃,杨凌,马晓华,周小伟,李培咸

2012.05.09

ZL200910021761.4

发明

7

无源超高频射频识别芯片反向散射链路频率生成电路及方法

庄奕琪,唐龙飞,刘伟峰,李小明,靳钊

2012.05.09

ZL200910023885.6

发明

8

基于mSiC衬底的非极性mGaN薄膜的MOCVD生长方法

郝跃,许晟瑞,张进成,周小伟,欧新秀,付小凡,杨传凯,薛军帅

2012.05.23

ZL201010209325.2

发明

9

二维网状片上网络系统

蔡觉平,魏洁,李赞,姚磊,王韶力,郝跃

2012.05.09

ZL201010507200.8

发明

10

高速数据交换接口的数据缓存器及其数据缓存控制方法

郝跃,刘宇,马佩军,李康,史江义

2012.05.09

ZL200910023890.7

发明

11

DC/DC电源模块抗辐射能力无损筛选方法

杜磊,包军林

2012.05.02

ZL200710083694.X

国防

12

MOS抗辐射能力无损筛选方法

庄奕琪,杜磊

2012.05.02

ZL200710083691.6

国防

13

碳化硅指状肖特基接触式核电池

郭辉,石彦强,张玉明,韩超,陈丰平,侯学智

2012.06.20

ZL201010220821.8

发明

14

基于碳化硅三极管的β射线探测器

郭辉,石彦强,张玉明,陈丰平

2012.06.27

ZL201010281472.0

发明

15

碳化硅环状肖特基接触式核电池

张玉明,石彦强,郭辉,段福莉,贾仁需

2012.06.27

ZL201010220822.2

发明

16

基于cAl2O3衬底上极性cGaN薄膜的MOCVD生长方法

郝跃,许晟瑞,张进成,张金风,毛维,史林玉,付小凡,梁晓祯

2012.06.27

ZL201010209323.3

发明

17

高电子迁移率晶体管

张进成,付小凡,郝跃,马晓华,王冲,陈珂,马俊彩,刘子扬,林志宇,张凯

2012.06.27

ZL201110001515.X

发明

18

基准二极管抗辐射能力无损筛选方法

庄奕琪,杜磊

2012.04.04

ZL200710083693.5

国防

19

PWM/PDM双模调制选择电路及双模调制方法

刘帘曦,杨银堂,朱樟明,丁瑞雪

2012.07.04

ZL200810236458.1

发明

20

用于无源超高频射频识别的微功耗温度检测电路

庄奕琪,李小明,齐增卫,杜永乾,刘伟峰,唐龙飞

2012.07.25

ZL201110024519.X

发明

21

基于网络S参数提取的RFIC ESD防护电路优化方法

刘红侠,李立

2012.07.25

ZL201110046763.6

发明

22

阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管

张进成,付小凡,郝跃,马晓华,王冲,陈珂,奚鹏程,解露,李亮,薛晓咏

2012.07.25

ZL201110001068.8

发明

23

基于碳化硅结型场效应管的β辐照探测器

郭辉,洪朴,张玉明,张义门,程和远,詹晓伟

2012.07.25

ZL201010278832.1

发明

24

基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器

郭辉,詹晓伟,张玉明,程和远,洪朴

2012.08.08

ZL201010278812.4

发明

25

基于查找表算法的菱形冗余填充寄生电容提取方法

董刚,杨永淼,杨银堂

2012.10.24

ZL201010596630.1

发明

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