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授权专利
专利授权情况-2017年
作者:  文章来源:  发布时间:2017-12-20  阅读次数:204


序列

专利名称

发明人

授权时间

专利号

类别

1

外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法

郭辉,翟华星,张艺蒙,宋庆文,张玉明

2017.01.04

ZL201410301093.1

发明

2

串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法

郭辉,赵亚秋,宋庆文,王悦湖,张玉明

2017.01.11

ZL201410299971.0

发明

3

基于AlGaN/GaN超晶格电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法

杨林安,许详,李亮,张进成,郝跃

2017.01.11

ZL201410270942.1

发明

4

Si111)材料应力沿表面法线分布的信息的测量方法

张金风,聂玉虎,闫冉,张进成,郝跃

2017.01.25

ZL201410578904.2

发明

5

横向族元素量子阱光电探测器及制备方法

韩根全,张春福,周久人,汪银花,张进城,郝跃

2017.01.25

ZL201510340409.2

发明

6

N沟道碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法

郭辉,翟华星,宋庆文,张艺蒙,张玉明,汤晓燕

2017.02.15

ZL201410161027.9

发明

7

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

薛军帅,李姚,郝跃,张进成

2017.02.15

ZL201410570899.0

发明

8

3DPIN结构α辐照电池及其制备方法

郭辉,赵亚秋,王悦湖,宋庆文,张玉明

2017.02.15

ZL201410299932.0

发明

9

夹心并联式外延GaNPINα辐照电池及制备方法

郭辉,赵亚秋,宋庆文,张艺蒙,张玉明

2017.02.15

ZL201410299858.2

发明

10

夹心串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法

郭辉,黄海栗,张艺蒙,宋庆文,张玉明

2017.02.15

ZL201410300604.8

发明

11

用于测量超高频射频识别电子标签上天线阻抗的夹具

庄奕琪,李小明,闫昕,王博,刘伟峰,李振荣

2017.02.15

ZL201410571228.6

发明

12

6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的测量方法

张金风,聂玉虎,张鹏,蒋仁渊,郝跃

2017.02.15

ZL201410578854.8

发明

13

GaNT形源场板功率器件及其制作方法

毛维,陈园园,杨翠,石朋毫,边照科,郝跃

2017.02.22

ZL201410659909.8

发明

14

介质调制复合交叠栅功率器件

毛维,葛安奎,郝跃,边照科,石朋毫,张进成,

马晓华,张金风,杨林安,曹艳荣

2017.03.01

ZL201410658234.5

发明

15

可配置的雷达数字信号处理器及其处理方法

史江义,汤秋生,马佩军,陈泽,朱新平,舒浩,张春焱

2017.03.29

ZL201510172252.7

发明

16

基于mGaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法

姜腾,许晟瑞,郝跃,张进成,张春福,林志宇,雷娇娇,陆小力

2017.03.29

ZL201410168281.1

发明

17

基于mGaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法

许晟瑞,姜腾,郝跃,杨林安,张进成,林志宇,樊永祥,张春福

2017.03.29

ZL201410165353.7

发明

18

基于T形栅-漏复合场板的异质结器件及其制作方法

毛维,佘伟波,葛安奎,杨翠,马京立,郝跃

2017.03.29

ZL201410658903.9

发明

19

基于高密度有序铜纳米线催化的大面积石墨烯制备方法

陆小力,张吉文,王东,张进成,郝跃

2017.03.29

ZL201510100988.3

发明

20

T形源-漏复合场板功率器件

毛维,佘伟波,张延涛,杨翠,张进成,马佩军,郝跃

2017.03.29

ZL201410658902.4

发明

21

槽栅型直角复合栅场板异质结器件及其制作方法

毛维,佘伟波,张延涛,葛安奎,杨翠,郝跃

2017.03.29

ZL201410658901.X

发明

22

直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法

毛维,郝跃,范举胜,董萌,刘红侠,杨林安,

王冲,郑雪峰,张金风

2017.03.29

ZL201410660230.0

发明

23

提高LPCVD沉积BPSG薄膜均匀性的工艺优化方法

游海龙,田文星,廖乃镘,顾凯

2017.04.12

ZL201410719525.0

发明

24

碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法

郭辉,宋朝阳,蒋树庆,梁佳博,张玉明

2017.04.12

ZL201510098637.3

发明

25

基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管

毛维,佘伟波,李洋洋,杨翠,杜鸣,郝跃

2017.04.12

ZL201410658333.3

发明

26

绝缘栅型直角栅-漏复合场板功率器件

毛维,郝跃,范举胜,李敏娜,杨林安,
刘红侠,王冲,郑雪峰,张金风

2017.04.12

ZL201410660754.X

发明

27

绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管

毛维,范举胜,杨翠,张昊,赵雁鹏,马晓华,郝跃

2017.04.19

ZL201410660513.5

发明

28

T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法

毛维,佘伟波,张延涛,杨翠,马佩军,郝跃

2017.04.19

ZL201410659603.2

发明

29

氮化镓基直角漏场板高电子迁移率晶体管

毛维,佘伟波,葛安奎,曾媛媛,郝跃

2017.04.19

ZL201410660139.9

发明

30

基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件

毛维,佘伟波,赵雁鹏,李洋洋,杨翠,张金风,郝跃

2017.04.19

ZL201410660221.1

发明

31

T形漏场板异质结功率器件及其制作方法

毛维,杨翠,张延涛,范举胜,张进成,.郝跃

2017.04.19

ZL201410660029.2

发明

32

PMOS四相电流源开关驱动电路

庄奕琪,汤华莲,贾伟泉,张丽,许蓓蕾,曾志斌

2017.05.10

ZL201410336320.4

发明

33

绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法

毛维,郝跃,杨翠,李洋洋,王冲,郑雪峰,

杜鸣,刘红侠,曹艳荣

2017.05.10

ZL201410658088.6

发明

34

超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法

陆小力,张吉文,张春福,张进成,郝跃

2017.05.17

ZL201510101331.9

发明

35

碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法

郭辉,梁佳博,蒋树庆,宋朝阳,张玉明

2017.05.17

ZL201510098787.4

发明

36

基于片上网络的异构多核处理系统

史江一,舒浩,余文哲,马佩军,王禛,吴冰冰,李钊,刘沛委

2017.06.16

ZL201510224407.7

发明

37

可配置存储复用的动目标检测器及其检测方法

史江义,陈付锁,叶海南,马佩军,舒浩,贾琳黎,张璐,姜劼

2017.06.13

ZL201410298472.X

发明

38

应变SiGeSn鳍型光电探测器

韩根全,张春福,郝跃,张进城,唐诗

2017.06.16

ZL201410737288.0

发明

39

基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法

陆小力,张吉文,许晟瑞,张进成,郝跃

2017.06.13

ZL201510101332.3

发明

40

基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器

郭辉,刘博睿,张玉明,陈小青,张晨旭

2017.06.13

ZL201610203362.X

发明

41

具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法

杨林安,陈浩然,李月,田言,陈安,郝跃

2017.06.16

ZL201410696211.3

发明

42

基于碳化硅PIN二极管结构的α辐照闪烁体探测器

郭辉,陈小青,张玉明,刘博睿,张晨旭

2017.06.20

ZL201610203365.3

发明

43

一种并联叠层有机太阳能电池的制备方法

王之哲、张春福、陈大正、吕玲、汪瑛、郝跃、唐诗、罗莉

2017.07.28

ZL201410276254.6

发明

44

基于弛豫GeSn材料的光电探测器

张春福,韩根全,王轶博,汪银花,张进成,郝 跃

2017.07.28

ZL201610255106.5

发明

45

cGaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法

张金风,聂玉虎,周勇波,张进成,郝跃

2017.08.25

ZL201410578564.3

发明

46

基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法

郝跃,任泽阳,许晟瑞,李培咸,张进成,姜腾,蒋仁渊,马晓华

2017.08.25

ZL201510508133.4

发明

47

基于多芯片的多频段雷达收发组件

董刚;王源清;杨银堂

2017.08.15

ZL201518001339.9

发明

48

多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法

陆小力,张吉文,张春福,张进成,郝跃

2017.08.29

ZL201510101254.7

发明

49

可重用微波环行器

董刚,王源清,杨银堂

2017.10.24

ZL201510109848.2

发明

50

基于notch结构的GaN耿氏二极管及制作方法

杨林安,许详,张进成,郝跃

2017.10.24

ZL201510117491.2

发明

51

基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法

韩根全,王轶博,张春福,汪银花,张进成,郝 

2017.10.24

ZL201610117685.7

发明

52

基于GeSn-GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法

韩根全,王轶博,张春福,汪银花,张进成,郝 

2017.10.24

ZL201610117819.5

发明

53

超高频射频识别电子标签上的天线阻抗测量方法

李小明,庄奕琪,闫昕,王博,刘伟峰,李振荣

2017.10.24

ZL201410571026.1

发明

54

Ti3O5 /TiO2混晶纳米纤维的制备方法

马晓华,李健,雷毅敏,宋芳,王湛

2017.06.13

ZL201610111259.2

发明

55

I-LAYER VANADIUM-DOPED PIN TYPE NUCLEAR BATTERY AND THE PREPARATION PROCESS THEREOF

郭辉,张克基,张玉明,张玉娟,韩超,石堰强

2017.08.08

US9,728,292 B2

美国

发明

 

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