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研究成果
宽禁带半导体专用设备研制
作者:  文章来源:  发布时间:2010-12-16  阅读次数:448

320型MOCVD设备(3片2-3英寸)2006年研制成功。该设备在控制系统、管路、反应室等方面的创新设计、原子级材料生长与控制技术,显著提高了外延片的性能和质量(材料厚度不均匀性≤2%)。


MOCVD-320(3片2英寸,研究/生产型)  AFM表面形貌                GaN HEMT材料外延片
620型MOCVD设备(6片2英寸或3片4英寸,生产型)研制已成功完成,现已开始19片的MOCVD设备研制。


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