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王洪娟:潜心钻研 勇攀学术高峰
作者:  文章来源:  发布时间:2016-10-10  阅读次数:1790
  通过引入异质结工程和应变工程的方式,减小材料有效带隙及有效质量,提高隧穿场效应晶体管(TFET)的隧穿几率,促进TFET器件性能的提升;设法通过引入应变及优化表面钝化工艺提升沟道载流子迁移率,进而得到高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。看似枯燥的内容,就是王洪娟研究生阶段一直致力于实现低功耗、高性能场效应晶体管的研究。
  王洪娟在日本筑波参加SSDM2106国际会议
     
  王洪娟道:“集成电路工艺节点已经发展到10 nm以下,高功耗已经成为限制集成电路进一步发展的主要难题。如何解决这一问题,是现在许多专家学者在做的事情,而我也是其中一份子。与传统CMOS相比,TFET能够实现室温下低于60mV/decade的陡峭亚阈值摆幅,从而降低集成电路的工作电压和芯片功耗。但仍面临隧穿几率较低的难题,而我做的就是通过引入应变等方式解决这一问题,努力提高隧穿几率,提升器件性能。”
  王洪娟在ICSICT2016国际会议上获得优秀学生论文奖
     
  洪娟同学在校期间发表SCI论文6篇,国际会议口头报告6次,其中邀请报告一次,16年10月获得ICSICT国际学术会议“Excellent student paper award“,获得博士研究生国家奖学金3次,拥有两项国家授权发明专利。
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