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人才培养
周久人:专注科研,享受乐趣
作者:  文章来源:  发布时间:2016-08-20  阅读次数:1814
     
  负电容晶体管是将具有负电容行为的铁电薄膜材料插入栅叠层中,可突破晶体管开关特性受玻尔兹曼统计分布影响这一根本性限制,可应用于具有超低功耗需求的大规模集成电路,在全世界集成电路普及的今天,具有重要的理论研究和实际应用价值。如此前沿且极具挑战性的研究课题,就是周久人在攻读博士学位期间的核心工作:超低功耗应用的负电容场效应晶体管研究。
  周久人说:“在过去的50多年里,以MOS(金属氧化物半导体)晶体管为标志的微电子技术沿着摩尔定律取得了长足的发展,芯片单位面积晶体管数量约每18个月翻一番。然而随着晶体管特征尺寸缩小,其功耗无法对应降低,高功耗成为限制摩尔定律持续发展的主要瓶颈。负电容晶体管将铁电材料薄膜所具有的负电容效应集成于栅结构中,从而实现栅压放大并突破传统场效应晶体管亚阈值摆幅极限—60mV/decade。”
  近几年来,世界各国的科学家通过理论研究和实验验证的方式,证实了负电容晶体管能实现标志低功耗特征的亚阈值摆幅小于60 mV/decade陡峭开关特性的可行性。但是,由于铁电薄膜材料的负电容特性机理极其复杂,仍面临负电容区域不稳定、设计规则不明确以及翻转频率极限等世界级难题,这也正是周久人目前所专注的研究课题。
  周久人(左)在IEDM2016国际会议上与加州大学伯克利分校SayeefSalahuddin教授(右)合影
  周久人师从郝跃院士和韩根全教授,目前,在郝跃院士团队的新型微纳米CMOS器件课题组做研究。2016年12月,周久人在2016年IEEE International Electron Devices Meeting(简称IEDM)上,口头报告了团队的最新研究论文《Ferroelectric HfZrOx Ge and GeSn PMOSFETs with Sub-60 mV/decade Subthreshold Swing, Negligible Hysteresis, and Improved IDS》。IEDM是国际微电子器件领域的顶级会议,也是IEEE旗下的两个王牌会议之一,在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力,被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。该研究论文在IEDM上发表,标志着西安电子科技大学在先进微电子器件研究领域正逐步走向世界前列。
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