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张雅超:自强不息 勇攀高峰
作者:  文章来源:  发布时间:2016-12-20  阅读次数:914
      
  张雅超,男,1990年2月出生于河南省新乡市,西安电子科技大学微电子学院微电子学与固体电子学专业2012级直博生,师从郝跃院士,研究方向为宽禁带氮化物半导体材料与电子器件。博士研究生期间,以第一作者身份发表SCI论文4篇,连续两年荣获研究生国家奖学金,获得2016年度国睿奖学金。他所在的宽禁带半导体团队荣获2016年度“三好三有”研究生导学团队荣誉称号。

  不畏险峰 重燃信心
  临近本科毕业时,张雅超没有过多考虑就执着地选择了保研直博。其实,走这条发展道路,开始时在他的脑海里没有形成清晰的概念,也不知道这样的选择对他来讲究竟意味着什么。于是,带着一头雾水的张雅超直接跨入了博士生的行列。由于缺少了硕士阶段的积累与沉淀,这突如其来的学习模式转换对坚持“死读书,做试卷”理念十多年的他来讲是一个不小的挑战。他深知,在刚开始读博的两年内必须同时兼顾课程知识和研究基础的学习,这真的应验了“万事开头难”的说法。
  然而,张雅超是非常幸运的,他有幸身处以郝跃院士为带头人的宽禁带半导体实验室这个大家庭中,从导师到师兄师姐,每个人都不厌其烦地帮助他如何读文献、如何做实验、如何分析数据,慢慢地他开始逐渐建立起属于自己的研究思维体系。两年过去了,他的身上褪去了初来乍到时的迷茫和困惑,面对这座科研高峰,逐渐显现出一个新时代科研探索者的自信和激情。
  不懈努力 曲折前行
  记得刚走进大学,在听取相关科研讲座的时候,张雅超就了解到微电子学的研究是一个理论与实验并重的学科,对于科研者的逻辑思维以及动手能力均有着较高的要求。但真正认识到这一点还是在研究生阶段,没有厚重的基础知识,要发展几乎是不可能的。于是,他首先开始了具有针对性的理论研究,敏锐地抓住半导体电子器件对于“高频特性”的需求,提出采用禁带宽度更窄的InGaN合金取代常规GaN二元材料来充当沟道层,理论上能够大幅度提升器件的频率特性以及稳定性。在理论研究的指导下,他又马不停蹄地投入到实验验证工作中。
  然而,研究初期的实验结果很难令人满意,无论在材料质量还是器件特性方面,都存在着较多的问题,如何突破这些实验技术瓶颈成为了研究能否成功的关键。迎面泼来的冷水并没有浇灭张雅超的研究热情,因为他坚信越困难的研究,它的意义一定越大。于是,他越挫越勇,在至关重要的时间段内,他几乎将一天三分之二的时间投入到测试与分析中,经常在忙完工作,走出了超净间后,才发现天已经黑了或者天已经亮了。精诚所至,金石为开,在他的不懈努力下,实验结果终于有了突破性的进展,他所制备的InGaN沟道异质结构室温下二维电子气迁移率将有文献报道的最优结果提升了超过30%,2016年6月17日,国际著名的半导体媒体“Semiconductor Today”对这一结果进行了专题报道,并给予了很高的评价。
  静水细流 润物无声
  张雅超说,在他的研究过程中,很少有豁然开朗的惊喜,更为常见的是静水细流般的平静。在经历一段时期看似不算很成功的尝试之后,回过头来,才发现其实已经突破很大。水到渠成,是他坚持的科研信念,他坚信冰冻三尺,非一日之寒,正是这样平实朴素的科研态度指引着他在学术道路上越走越远。自强不息,勇攀高峰是宽禁带半导体实验室一直倡导的学术理念,张雅超时刻不忘将这种理念融入到日常的科学研究工作中。
  在未来的科研道路上,我们有理由相信他必然会以百倍的信心、无畏的勇气和坚韧的毅力,去战胜艰难险阻、不断攀登,最终抵达胜利的高峰。
  师长郝跃点评
  张雅超同学依靠自己的刻苦努力和优良的科研环境,在学术上取得了可喜的进展,为氮化物宽禁带半导体的新型沟道材料和器件发展做出了新贡献。雄厚的基础知识是成功的基础,永不放弃的勤奋探索是成功的保障,努力一定会有收获。
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