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法国CEA-LETI实验室Cioccio教授一行应邀来访并做学术报告
作者:  文章来源:  发布时间:2017-09-22  阅读次数:1046

     (通讯员:朱家铎)2017年9月20日上午,法国CEA-LETI实验室LeadiCiocci教授一行应邀来到宽带隙半导体技术国家重点学科实验室进行参观和学术交流,并带来题为“Layer transfer engineering for advanced devices: bypassing the limit of  conventional deposition techniques by stacking thin material layers”的学术报告。
  报告会上,首先由CEA-LETI驻北京办事处的JasonGras先生带来CEA-LETI的介绍。之后Cioccio教授以材料转移和氮化镓功率器件为主题展开学术报告。她首先介绍了层状材料转移的基本思路:键合和剥离相结合的方法。首先通过氢注入的方式建立富氢薄层,然后键合到需要的基底材料上。之后在加热的情况下,富氢层会由于热膨胀而分离,从而实现转移工艺。
  接着Cioccio教授详细介绍了LETI在上述工艺中的最新进展,展示了将半导体转移到金属衬底的结果。结合STEM表征手段,详细分析了键合过程中温度对键合界面的影响。通过GaAs、GaN,GOI等材料的转移结果,显示了SmartCut技术在3D集成方面的应用前景。
  报告的第二部分Cioccio教授重点介绍了LETI在GaN基增强型HEMT器件在电力电子研究方面的进展。通过将键合与传统槽栅工艺结合,可以在更小厚度的情况下获得更大的功率表现。此外,通过引入epi叠层的方式,可以明显的抑制电流崩塌效应。
  报告结束后,Cioccio教授与在场的教师和研究生就氮化物器件,非硅器件工艺,超宽禁带半导体等方向进行了深入交流。

  Cioccio教授个人简介:
  Cioccio教授1983年在法国国立应用科学学院获得工程物理学士学位,1985年在巴黎第六大学获得冶金与材料科学硕士学位,1988年在法国格勒诺布尔理工学院半导体材料物理学博士学位。1990年她加入了格勒诺布尔的CEA-LETI实验室。研究方向主要包括基于SmartCut的层状材料转移工艺和异质结外延生长。发表超过150篇论文,20个专利,并出版多部专著。

 

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