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郝跃院士、张进成教授参加“大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”重大研发计划重点专项启动会
作者:  文章来源:  发布时间:2016-11-05  阅读次数:174

     (通讯员:张苇杭)2016年10月23日,科技部“战略性先进电子材料”重大研发计划重点专项“大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”启动会在北京顺利召开。会议由科技部高技术研究发展中心指导,项目牵头单位北京大学主持,共14家支持单位协办召开。宽带隙半导体技术国家重点实验室的郝跃院士、张进成教授、马佩军副主任、林志宇博士和张苇杭博士生参加会议,郝跃院士担任项目咨询专家组组长,张进成教授担任子课题负责人。
  此次会议共有16家单位50位代表参加,项目负责人、北京大学王新强教授主持会议。专家组由甘子钊院士、郝跃院士、吴玲研究员、陈弘达研究员、何杰研究员、沈波教授、张荣教授、李晋闽研究员、罗毅教授、杨辉研究员、江风益教授、康俊勇教授、申德振研究员等校内外学者组成。北京大学科学研究部副部长韦宇致欢迎辞。科技部高技术研究发展中心材料处处长史冬梅在致辞中对项目的立项及会议召开表示祝贺,希望各参与单位按照科技部的指示,认真履行责任,明晰项目研究和管理各方的责权关系,保证项目顺利实施。

 科技部高技术研究发展中心材料处处长史冬梅处长致辞
  王新强教授详细介绍了项目的立项情况、总体目标和实施方案,课题负责人黎大兵研究员、刘斌教授、孙钱研究员和张进成教授分别汇报了各个课题的实施方案。

张进成教授汇报课题五实施方案

     高质量材料是第三代半导体光电子与微电子器件的根基。氮化物半导体及其量子结构具有大失配、强极化和非平衡态生长的固有特点,系统掌握其外延生长、应力缺陷、载流子输运/复合及调控规律,攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,有助于实现颠覆性的技术创新和应用,为推动高性能氮化物半导体器件研究和产业化进程提供技术支撑,带动电子材料产业转型升级,并提高我国在第三代半导体光电子器件领域所占全球的市场份额。
  各个子课题的实施方案依托科技部高技术研究发展中心下发的《国家重点研发计划重点专项相关政策和管理文件汇编》和《科技部高技术研究发展中心重点专项过程管理规则》,对各课题负责人的职责进行了明确和强化。
  西安电子科技大学郝跃院士代表项目咨询专家表达了对项目立项的祝贺,参会的各位专家就项目的实施、过程管理、项目的目标与技术路线提出了明确的咨询意见,希望项目组充分调动科研人员的积极性、主动性和创造性,为我国第三代半导体光电子与微电子器件的发展作出贡献。

郝跃院士发言

      科技部高技术研究发展中心材料处项目主管杨斌在上午的总结发言中介绍了2016年度国家重点研发计划的项目部署情况以及新时期重点专项的管理特点与要求,强调了课题成员关系和经费实施细则对项目实施的重要性,要求各课题切实把握课题任务的财务、质量和宣传三大工作,对项目执行中取得的重大进展及成果及时向社会公布,积极与国内外专家进行交流沟通。为了更好地推进项目目标的实现,他建议项目执行一到两年进行中期检查,邀请同行专家、项目成果主体用户、项目咨询专家及国外专家进行评估,根据评估结果完善后续的项目研究计划。
  2016年10月23日下午,各课题根据上午的会议精神举行了分组会议,进一步明确了项目实施过程中的阶段任务、实施方案及经费分配等问题,就项目的实施达成了互相合作的共识。各单位将强化计划过程管理,及时公开项目成果,接受社会评估、监督,深入研究氮化物半导体及其量子结构在外延生长、应力缺陷、载流子输运/复合等方面的物理规律,从根本上攻克蓝光发光效率瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,真正实现颠覆性的技术创新和应用,为产业化和国际市场的开拓奠定坚实的基础。

参会人员合影

 

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