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宽带隙半导体技术重点实验室师生参加第十一届ICNS会议
作者:  文章来源:  发布时间:2015-10-09  阅读次数:134
     (通讯员:汪银花 薛军帅)第十一届氮化物半导体国际会议(International Conference on Nitride Semiconductors)于2015年8月30日至9月4日在北京国际会议中心召开,本次会议由北京大学主办。该会议是氮化物半导体领域最重要、最前沿的顶级国际学术会议,内容涉及氮化物半导体材料与器件的最新进展和研究动态。宽带隙半导体技术国家重点实验室的郝跃院士、张进成教授、马晓华教授、薛军帅博士、谢涌博士及祝杰杰等十位研究生参加了这次会议。

参加ICNS会议的实验室师生

      郝跃院士担任了本次会议的国际顾问委员会委员和大会报告主持人,主持了会议开幕式后的诺奖得主田野浩和中村修二教授的主旨报告。 张进成 教授担任了本次会议的组织委员会委员和分会主席,并作了特邀报告,祝杰杰、侯斌和肖明等3名研究生分别做了大会口头报告,同时实验室有11篇论文作为 Poster发表。会议期间,我校师生与国内外同行进行了深入的交流和探讨,对实验室和课题组相关研究进行了积极宣传。我校相关研究成果吸引了与会者的广泛关注,对实验室研究成果给予了充分肯定和高度评价。论文报告和与专家们的交流互动对我校宽禁带氮化物半导体材料和器件的研究有重要的推动作用。

张进成教授做大会邀请报告

       据了解,氮化物半导体(ICNS)国际会议每两年举办一次,自第一届在日本召开以来,举办地点在亚洲、欧洲、美国之间轮替。本次第十一届氮化物半导体国际会议为该系列会议首次在中国召开。来自世界各国的近800名该领域的专家和学者参加了交流和讨论,会议围绕氮化物半导体“材料生长”、“光学器件”、“电子器件”和“基础物理”四个主题开展研讨,集中就氮化物材料中的重要物理机制、材料生长及缺陷控制技术、氮化物器件性能提高面临的主要技术障碍和未来发展趋势等进行了深入讨论,为世界各地的学者提供了一个交流、互动的学术平台。

 

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