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西电—北大—韩国庆北大学三校研讨会在我校举行
作者:  文章来源:  发布时间:2013-10-25  阅读次数:121

      10月19日至10月21日,由我校微电子学院、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室及微纳电子学与宽禁带半导体“111”引智基地举办的第18届西电--北大--韩国庆北大学三校研讨会在我校举行。
  在19日下午举办的学术报告会上,副校长、重点实验室学术委主任郝跃教授致欢迎词,庆北大学LEE,Jung Hee教授和北京大学赵玉萍教授分别致感谢词。西电薛军帅讲师做了题为:“Study on the Novel Nitride InAlN Semiconductor Heterostructures and HEMT Devices”的报告;庆北大学Muhan Choi(崔武汉)教授做了题为:“Gate-controlled active graphene terahertz metamaterials”的报告;北京大学杨川川副教授做了题为:“Orthogonal Basis Expansion Based Phase Noise Suppression for Coherent Optical OFDM System”的报告。报告会由张义门教授主持,共计400余名师生聆听了报告会。
  研讨会举办期间举办了多项活动,我校师生与到访的北大和韩国庆北大学的二十余位教授进行了深入的学术交流,增加了互相之间的了解。活动期间,三校参会师生还到西安三星半导体厂进行了参观,与三星高层进行了座谈。
  三校研讨会起源于北大与庆北大学之间的年度研讨会,已进行17届,去年研讨会在韩国大邱举办,我校正式加入,至此成为西电--北大--庆北大学三校年度研讨会,今年为第18届研讨会。以后,这一研讨会将成为三校之间的长期交流项目,轮流在三校之间进行,第19届研讨会将在明年由北京大学举办。 

举办学术报告会

参观宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

 

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