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郝跃教授课题组2017年末博士学术研讨会圆满落幕
作者:陈大正  文章来源:通讯员  发布时间:2018-01-05  阅读次数:1717

(通讯员:陈大正)2018年1月3日至4日,郝跃教授课题组2017年末博士学术研讨会在北校区东大楼221学术报告厅隆重举行,课题组全体在校博士研究生、全体博士生导师以及来自不同学院和学校共名200余名师生参加了报告会。

博士学术研讨会在宽带隙重点实验室、微电子学院的大力支持下,以“崇尚学术,追求卓越”为宗旨,以“学术交流,成果共享,共商发展”为目的,开展了积极的汇报研讨活动。会议由张进成教授主持,与会专家包括郝跃、张进成、马晓华、韩根全、冯倩、张春福、陆小力、郑雪峰、常晶晶、许晟瑞等多名微电子学教授与博士生导师。

      本次学术研讨会涉及半导体材料与器件、理论机理、工艺制造、电路设计等多个方面,博士们侃侃而谈,分享新想法、新动态、新成果,每位导师孜孜不倦,肯定进展的同时指出不足,会议学术氛围非常浓厚,广大师生进行了广泛而深入的探讨,引起了强烈反响。


郝跃教授进行演讲

      郝跃教授进行了大会演讲,介绍了半导体领域的最新发展动态与发展趋势,激励大家抓住机遇,敢于创新,取得更多优异成果,并为大家送上新年祝福,对大家的付出与收获表示感谢与祝贺,也对大家的提出了新的期望。


      庞商政博士分享了自己在“钙钛矿太阳能电池及其叠层器件研究”方面的最新成果与研究心得,相关成果发表在《Solar Energy Materials and Solar Cells》等国际著名期刊上。

      彭悦博士阐述了课题组在“氧化铪基铁电材料生长及高迁移率NCFET性能研究”领域取得的突破性进展,相关成果在《IEEE Journal of the Electron Devices Society》等国际著名期刊上发表。

      肖明博士阐述了“高性能AlN势垒增强型和AlGaN沟道HEMT器件”方面取得的重要成果,相关内容发表在《IEEE Electron Device Letters》等国际著名期刊上发表。


      段小玲博士重点阐述了“InGaN TFET器件研究”方面取得突破性进展。相关成果发表在国际著名期刊《IEEE Transactions on Electron Devices》上。

      微电子不微,随着信息技术的发展,我们的生活越来越与微电子技术息息相关,它更是国家综合实力的标志。郝跃教授课题组以此为使命,全新全意谋发展,秉承“师德师风好 师生关系好 培养模式好 有先进文化 有出色管理 有突出业绩”的导学模式,坚持“志存高远,脚踏实地,自强不息,勇攀高峰”的团队理念,树立“和谐 奋斗 卓越 创新”的发展目标,持续推动我校一流大学、一流学科、一流专业的建设,持续推动我校微电子专业人才培养,持续推动我国在微电子领域的研究处于国际领先和先进行列。


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