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郝跃教授课题组2018年末博士学术研讨会圆满落幕
作者:  文章来源:  发布时间:2018-12-29  阅读次数:6765

     2018年12月23日至24日,郝跃教授课题组2018年末博士学术研讨会在北校区东大楼221学术报告厅隆重举行,课题组全体在校博士研究生、全体博士生导师以及来自不同学院和学校共名200余名师生参加了报告会。

     博士学术研讨会在宽带隙重点实验室、微电子学院的大力支持下,以“崇尚学术,追求卓越”为宗旨,以“学术交流,成果共享,共商发展”为目的,同时也为改革开放40周年献礼,开展了积极的汇报研讨活动。会议由常晶晶、张金风、张春福教授分别主持,会议专家包括郝跃、张进成、马晓华、冯倩、陆小力、常晶晶、许晟瑞、郑雪峰、王冲、毛维等多名微电子学教授与博士生导师。

     本次学术研讨会涉及半导体材料与器件、理论机理、工艺制造、电路设计等多个方面,每位博士侃侃而谈,分享新想法、新动态、新成果,每位导师孜孜不倦,肯定进展的同时指出不足,会议学术氛围非常浓厚,广大师生进行了广泛而深入的探讨,引起了强烈反响。

 

郝跃教授进行演讲

     首先,郝跃教授进行了大会演讲,介绍了半导体领域的最新发展动态与发展趋势,激励大家抓住机遇,敢于创新,取得更多优异成果,对大家的付出与收获表示感谢与祝贺,并送上新年祝福,也对大家的提出了新的期望。

     张涛博士阐述了课题组在“横向结构GaN 基肖特基二极管研究”领域取得的突破性进展,相关成果已被国际著名期刊《IEEE Electron Device Letters》接收。

     苏凯博士分享了自己在金刚石探测器研究方面的最新成果和研究心得,研制的金刚石探测器达到了国内最高、国际领先水平。

 

     陈丽香博士阐述了课题组在“铁电栅介质GaN基HEMT”领域取得的突破性进展,相关成果在国际著名期刊《IEEE Transactions on Electron Devices》上发表。

     武盛博士阐述了课题组在“高线性毫米波器件”领域取得的突破性进展,相关内容已投稿国际著名期刊《IEEE Electron Device Letters》。


  优秀报告奖获得者与郝跃院士合影

     最后通过两天的报告,结合导师推荐与两轮现场投票最终评选出5位优秀报告奖获得者,获得者与郝跃院士合影留念。

微电子不微,随着信息技术的发展,我们的生活越来越与微电子技术息息相关,它更是国家综合实力的标志。郝跃教授课题组以此为使命,全新全意谋发展,秉承“师德师风好 师生关系好 培养模式好 有先进文化 有出色管理 有突出业绩”的导学模式,坚持“志存高远,脚踏实地,自强不息,勇攀高峰”的团队理念,树立“和谐 奋斗 卓越 创新”的发展目标,持续推动我校一流大学、一流学科、一流专业的建设,持续推动我校微电子专业人才培养,持续推动我国在微电子领域的研究处于国际领先和先进行列。

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