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研究方向

以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体是继硅和砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和短波长光电半导体器件。宽禁带半导体是新一代雷达、通信、电子对抗系统最关键的半导体器件,也是新一代半导体照明关键的器件。

主要研究方向:

Ø  宽带隙半导体的理论研究

Ø  宽带隙半导体材料生长方法与技术

Ø  宽带隙半导体器件与应用研究

Ø  新型非硅集成电路技术研究

   Ø  超宽禁带半导体材料与器件应用研究
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