网站首页
实验室概况
实验室简介
学术委员会
实验室支撑
研究方向
承担项目
新闻中心
新闻中心
通知公告
科研团队
人员结构
首席专家
团队一览
科学研究
成果获奖
论文著作
授权专利
研究成果
开放交流
学术活动
来访合作
出访交流
人才培养
人才培养
仪器设备
仪器设备
学术简报
简报简介
刊物目录
English
实验室研究成果获得2018年陕西省科学技
西电微电子学院携手泰克共建微电子实践育人
郝跃教授课题组2018年末博士学术研讨会
教育部科技司司长雷朝滋一行来实验室调研指
海宁市委组织部考察组一行来访调研合作
郝跃教授课题组2017年末博士学术研讨会
1
2
3
4
5
6
2021年
01/15
郝跃院士会见陕西投资集团来宾
2021年
01/07
重点实验室与西安市精神卫生研究院举行科研合作签约仪式
2020年
12/21
无锡市及中兴通讯领导一行访问宽禁带半导体国家工程中心
2020年
12/19
南方科技大学深港微电子学院一行来访交流
2020年
12/03
党委副书记杨银堂教授为本科生作导师大讲堂讲座
>
宽禁带半导体重点实验室2020年度开放基…
/01/18/
>
宽禁带半导体重点实验室2020年度开放基…
/11/25/
>
西安电子科技大学宽禁带半导体国家级科研基…
/03/31/
>
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室202…
/11/12/
>
2019年第一批开放基金资助课题立项公告
/06/03/
>
重点实验室2019年开放基金资助课题指南…
/04/28/
>
请关注重点实验室“科学研究”栏目
/03/03/
>
“第六届三族氮化物生长国际研讨会”通知
/04/23/
>
“2014国际光电子与微电子技术及应用研…
/11/07/
>
第18届全国集成电路、硅材料学术会议公告
/06/13/
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与器件的基础科学和系统应用研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、国家示范性微电子学院、微电子学与固体电子学国家重点学科和 "211"工程重点建设学科的重要支撑。
实验室从上世纪90年代开始宽禁带半导体方面科学研究和人才培养,目前已成为国内外开展宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面工作的重要基地,2008年实验室成为我国国防科技创新团队。 实验室拥有从宽禁带材料生长设备、材料生长工艺到微波功率器件、高亮度LED器件管芯制造工艺,微波功率模块、微纳米器件可靠性以及VLSI电路设计等若干项自主关键技术,具有明显特色。
实验室重视研究成果转化与应用,多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用;微波功率器件已经开始用于国家重点工程;GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术,产生着辐射和带动作用;自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化 ……
近期多位政府、高校、企业领导来我室调研交流
(通讯员:梁佳博)近期宽带隙半导体技术国家重点学科实验室迎接多位政府、高校、企业领导调研实验室科研平台建设、研究能力、运行管理、仪器设备共享以及人才培养情况等。
/ 2018-05-28 /
浙江新湖集团股份有限公司董事长林俊波校友一行来访调研
2018年4月27日下午,浙江新湖集团股份有限公司董事长林俊波校友一行来实验室调研交流。
/ 2018-05-01 /
扬州大学物理科学与技术学院来实验室调研交流
2018年4月19日上午,扬州大学物理科学与技术学院微电子科学与工程系主任孟祥东一行3人来实验室调研交流。
/ 2018-04-25 /
微纳米集成电路SoC设计
XDNP网络处理器采用MPU+ME+Sec-uP的多核异构SoC架构,多个ME(微引擎)处理Gbits/s的线速转发包,MPU负责配置和管理多个ME以支持多种协议和通信业务,Sec-uP(安全协处理器……
/ 2012-12-16 /
GaN异质材料与器件相关基础研究
研究发现了当通过势垒层变化增大二维电子气密度时,二维电子气限域性会迅速变差,电子迁移随之降低。研究发现了当HEMT器件栅压变负时,二维电子气密度在降低的同时限域性也会变差,电子迁移率也会随之降低。
/ 2010-12-16 /
宽禁带半导体器件抗辐照特性研究
分别采用60Co γ–rays和中子对HEMT器材辐照实验,表明了GaN材料具有良好的抗辐照特性,在1Mrad总剂量伽马射线和1015cm–2注量的中子辐照条件下,器材主要参数的退化不到10%,表明G……
/ 2010-12-16 /
>
西电学子获2020集成电路EDA设计精英挑战赛最高奖
/ 2020-12-03 /
>
郭建新:用“芯”圆梦 以“芯”报国
/ 2020-05-25 /
>
樊庆扬:厚积薄发 硕果累累
/ 2017-01-11 /
>
张雅超:自强不息 勇攀高峰
/ 2016-12-20 /
>
曹梦逸博士毕业生获华为优秀新员工称号
/ 2016-11-30 /
>
王洪娟:潜心钻研 勇攀学术高峰
/ 2016-10-10 /
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与……
© 2013- 西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 版权所有
地 址:陕西省西安市雁塔区太白南路2号
电 话:029-88201759-855
E_mail:jiabol@xidian.edu.cn
邮 编:710071
Design & Support
技术支持:
新势力网络
/
西安电子科技大学微电子学院
/
西安电子科技大学科学研究院
/
宽禁带半导体国家工程研究中心
/
宽禁带半导体材料教育部重点实验室
/
中科院上海微系统与信息所
/
中科院半导体所
/
清华大学信息科学技术学院
/
中科院微电子所
/
北京大学软件与微电子学院
/
西安电子科技大学